[发明专利]形成半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 202210161957.9 申请日: 2022-02-22
公开(公告)号: CN115172340A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 陈宪伟;陈英儒;陈明发 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/544
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 形成 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种形成半导体器件的方法,包括:

放置第一封装组件,其中,所述第一封装组件包括:

第一对准标记;以及

第一伪对准标记;

将第二封装组件与所述第一封装组件对准,其中,所述第二封装组件包括:

第二对准标记;以及

第二伪对准标记,其中,所述对准是使用所述第一对准标记来定位所述第一封装组件,并使用所述第二对准标记来定位所述第二封装组件;以及

将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件以形成封装件,其中,在所述接合后,将所述第一对准标记接合至所述第二伪对准标记。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一对准标记包括第一多个离散部件,所述第二伪对准标记包括第二多个离散部件,并且其中,将所述第一多个离散部件一一对应地接合至所述第二多个离散部件。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述接合之后,将所述第二对准标记接合至所述第一伪对准标记。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一对准标记包括第一多个离散部件,所述第一伪对准标记包括第二多个离散部件,并且其中,所述第一多个离散部件和所述第二多个离散部件相互混合。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一封装组件中的第一表面介电层通过熔融接合而接合至所述第二封装组件中的第二表面介电层,并且所述第一对准标记通过金属对金属直接接合而接合至所述第二伪对准标记。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二对准标记是嵌入式对准标记,并且在所述接合之后,所述第二对准标记与所述第一封装组件物理地间隔开。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件包括将第二晶圆接合至第一晶圆。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一对准标记具有第一外轮廓,并且所述第一伪对准标记具有第二外轮廓,并且其中,所述第一外轮廓至少部分地与所述第二外轮廓重叠。

9.一种形成半导体器件的方法,包括:

使用第一晶圆中的第一对准标记和第二晶圆中的第二对准标记将所述第一晶圆与所述第二晶圆对准,其中,所述第二对准标记与所述第二晶圆中的伪对准标记位于相同的芯片区域中;以及

通过混合接合将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆,其中,在所述接合之后,将所述第一晶圆中的所述第一对准标记接合至所述第二晶圆中的所述伪对准标记。

10.一种形成半导体器件的方法,包括:

在第一封装组件中检索第一对准标记,其中,所述第一封装组件还包括与所述第一对准标记占据相同芯片区域的第一伪对准标记;

在第二封装组件中检索第二对准标记,其中,所述第二封装组件还包括与所述第二对准标记占据相同芯片区域的第二伪对准标记;

使用所述第一对准标记和所述第二对准标记将所述第二封装组件与所述第一封装组件对准;以及

将所述第二封装组件与所述第一封装组件接合。

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