[发明专利]检测方法及装置、检测设备和存储介质在审
申请号: | 202210163288.9 | 申请日: | 2022-02-22 |
公开(公告)号: | CN114549464A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 陈鲁;莫云杰;江博闻;王紫媛;吕肃;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/90 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
地址: | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
本申请实施方式的检测方法包括在待测件的待测部位于检测设备的视场范围内的情况下,通过检测设备进行第一检测,以获取来自待测部的第一辐射,并根据第一辐射获取待测部的第一检测信息;根据第一检测信息,确定待测部与目标位置在垂直于检测设备辐射的中心轴的平面内的位置偏差;根据位置偏差使待测件与检测设备相对移动,以使待测部与目标位置重合;在待测部与目标位置重合之后,通过检测设备对待测部进行第二检测,获取待测部的待测信息。本申请实施方式的检测方法、检测装置、检测设备和非易失性计算机可读存储介质,可提高后续待测部的检测准确性,从而提高待测件不同层的对准误差的准确性、重复性和稳定性,并提高针对多层待测件测量的效率。
技术领域
本申请涉及检测技术领域,特别涉及一种检测方法、检测装置、检测设备和非易失性计算机可读存储介质。
背景技术
目前,半导体工件通过使用套刻工艺,由于半导体工件尺寸不断降低,对套刻工艺中不同层之间的对准误差的要求越来越高,因此,需要对半导体工件中不同层的对准误差进行准确的检测。
发明内容
本申请提供了一种检测方法、检测装置、检测设备和非易失性计算机可读存储介质,以提高检测半导体工件中不同层的对准误差的准确性和重复性/稳定性。
第一方面,本申请实施方式的检测方法包括在待测件的待测部位于检测设备的视场范围内的情况下,通过所述检测设备进行第一检测,以获取来自所述待测部的第一辐射,并根据所述第一辐射获取所述待测部的第一检测信息,所述第一检测信息包括所述待测部在垂直于所述检测设备辐射的中心轴的平面内的位置信息以及第一辐射值,所述第一辐射值与第一辐射的强度正相关;根据所述第一检测信息,确定所述待测部与目标位置在垂直于所述检测设备辐射的中心轴的平面内的位置偏差,所述目标位置为与所述检测设备的视场中心的相对位置,所述目标位置为所述检测设备的性能指标达到预设条件的位置,所述目标位置的性能指标随着所述目标位置在所述检测设备的视场范围内的相对位置变化而变化;根据所述位置偏差使所述待测件与所述检测设备相对移动,以使所述待测部与所述目标位置重合;在所述待测部与所述目标位置重合之后,通过所述检测设备对所述待测部进行第二检测,获取所述待测部的待测信息。
第二方面,本申请实施方式的检测装置包括第一检测模块、确定模块、移动模块和第二检测模块。所述第一检测模块用于在待测件的待测部位于检测设备的视场范围内的情况下,通过所述检测设备进行第一检测,以获取来自所述待测部的第一辐射,并根据所述第一辐射获取所述待测部的第一检测信息,所述第一检测信息包括所述待测部在垂直于所述检测设备辐射的中心轴的平面内的位置信息以及第一辐射值,所述第一辐射值与第一辐射的强度正相关;所述确定模块用于根据所述第一检测信息,确定所述待测部与目标位置在垂直于所述检测设备辐射的中心轴的平面内的位置偏差,所述目标位置为与所述检测设备的视场中心的相对位置,所述目标位置为所述检测设备的性能指标达到预设阈值的位置,所述目标位置的性能指标随着所述目标位置在所述检测设备的视场范围内的相对位置变化而变化;所述移动模块用于根据所述位置偏差使所述待测件与所述检测设备相对移动,以使所述待测部与所述目标位置重合;所述第二检测模块用于在所述待测部与所述目标位置重合之后,通过所述检测设备对所述待测部进行第二检测,获取所述待测部的待测信息。
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