[发明专利]提高晶圆边缘产品良率的方法在审
| 申请号： | 202210170196.3 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695080A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 边缘 产品 方法 | ||
1.一种提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽，之后在所述衬底上形成覆盖所述浅沟槽的第一氧化层；
步骤二、在所述第一氧化层上形成第二氧化层；
步骤三、研磨所述第二氧化层以及其下方的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第一厚度；
步骤四、刻蚀剩余的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第二厚度；
步骤五、在所述衬底淀积覆盖所述浅沟槽和所述第一氧化层的栅极层；
步骤六、在所述栅极层上形成第三氧化层，之后研磨所述第三氧化层至所述栅极层上方；
步骤七、回刻所述第三氧化层，之后研磨所述栅极层，使得所述栅极层的上表面平坦化。
2.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氧化层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤二中的所述第二氧化层和步骤六中的所述第三氧化层的材料均为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤二中的所述第二氧化层的厚度为500埃至700埃。
6.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一厚度为500埃至600埃。
7.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤四中的所述刻蚀为干法刻蚀。
8.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二厚度为100埃至200埃。
9.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤五中的所述栅极层的材料为多晶硅。
10.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤六中的所述第三氧化层的厚度为500埃至700埃。
11.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底用于形成鳍式场效应管。
12.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤三、步骤六和步骤七中的所述研磨均采用化学机械平坦化工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
