[发明专利]提高晶圆边缘产品良率的方法

说明书

本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽，之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度；刻蚀剩余的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度；在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层；在栅极层上形成第三氧化层，研磨第三氧化层至栅极层上方；回刻第三氧化层，利研磨栅极层，使得栅极层的顶端平坦化。本发明对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善；保留部分氧化物在晶圆上，晶圆薄膜应力降低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提高晶圆边缘产品良率的方法。

背景技术

CMP(化学机械平坦化)很难控制晶圆边缘抛光速率，尤其是对于FINFET(鳍式场效应管)，在晶圆抛光时边缘的抛光速率比晶圆中心快约10倍。

晶圆边缘原材料硅会在栅极蚀刻过程中受损，随后的光刻工艺会带来旋涂碳掩膜或光刻胶残留或导致薄膜剥落，进而影响晶圆边缘芯片良率。

为此，需要一种提高晶圆边缘产品良率的方法，以提高晶圆边缘的最终多晶硅高度，栅极材料将顺利降落在STI(浅沟槽隔离)上，之后栅极的刻蚀不会损坏原材料硅，使整体晶圆边缘缺陷将得到改善，晶圆边缘良率上升。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，用于解决现有技术中晶圆边缘原材料硅会在栅极蚀刻过程中受损，随后的光刻工艺会带来旋涂碳掩膜或光刻胶残留或导致薄膜剥落，进而影响晶圆边缘芯片良率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽，之后在所述衬底上形成覆盖所述浅沟槽的第一氧化层；

步骤二、在所述第一氧化层上形成第二氧化层；

步骤三、利用化学机械平坦化工艺研磨所述第二氧化层以及其下方的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第一厚度；

步骤四、刻蚀剩余的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第二厚度；

步骤五、在所述衬底淀积覆盖所述浅沟槽和所述第一氧化层的栅极层；

步骤六、在所述栅极层上形成第三氧化层，之后利用化学机械平坦化工艺研磨所述第三氧化层至所述栅极层上方；

步骤七、回刻所述第三氧化层，之后研磨所述栅极层，使得所述栅极层的上表面平坦化。

优选地，步骤一中的所述衬底为硅衬底。

优选地，步骤一中的所述第一氧化层的材料为二氧化硅。

优选地，步骤二中的所述第二氧化层和步骤六中的所述第三氧化层的材料均为二氧化硅。

优选地，步骤二中的所述第二氧化层的厚度为500埃至700埃。

优选地，步骤三中的所述第一厚度为500埃至600埃。

优选地，步骤四中的所述刻蚀为干法刻蚀。

优选地，步骤四中的所述第二厚度为100埃至200埃。

优选地，步骤五中的所述栅极层的材料为多晶硅。

优选地，步骤六中的所述第三氧化层的厚度为500埃至700埃。

优选地，步骤一中的所述衬底用于形成鳍式场效应管。

优选地，步骤三、步骤六和步骤七中的所述研磨均采用化学机械平坦化工艺。