[发明专利]压印方法、压印光刻系统及物品制造方法在审
申请号: | 202210171656.4 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114967320A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 娄明吉;吉田贵裕;史蒂文·T·詹金斯;小林谦一;荒川达哉 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人: | 迟军;齐文文 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 方法 光刻 系统 物品 制造 | ||
本发明涉及压印方法、压印光刻系统及物品制造方法。本公开提供对被支撑在可移动载台上的基板进行压印的方法和系统,所述方法和系统包括:将所述基板上的液体抗蚀剂与模板接触;以及利用第一组控制参数,使用反馈‑前馈控制处理将所述基板与所述模板对准。获得校准数据,并且增大所述抗蚀剂的至少一部分的粘度。在增大所述抗蚀剂的粘度之后,利用第二组控制参数,使用所述反馈‑前馈控制处理将所述基板与所述模板对准,基于所述校准数据确定所述第二组控制参数,并且固化所述模板下方的所述抗蚀剂。
技术领域
本公开涉及纳米压印光刻中的对准控制,更具体地涉及针对在对准处理期间引入的振动进行补偿。
背景技术
在纳米压印光刻中,区域间(field to field)对准技术已被用于实现纳米级的套刻精度(overlay accuracy)。在一些示例中,可以通过使模板相对于基板(例如,晶圆)移动,来校正压印模板与基板上的对应区域之间的初始对准误差。然而,纳米压印光刻的快速且一致的对准是一个挑战。更具体地,稀薄液体摩擦和初始状态的变化是两个主要困难。这包括目前的方案难以应对不同的RLT(模板与基板之间的可固化液体的残留层厚度)、位置和转变处理。特别是,RLT的分配、对准运动和光刻环境本身生成的振动导致了不可接受的振荡等级。此外,由于引入了这些不同的振动实例,因此无法通过自然摩擦来使振荡等级归零。这些问题一直影响着大规模生产的产量和效率,因此期望能够校正这些问题。
发明内容
根据本公开,提供了一种对被支撑在可移动载台上的基板进行压印的方法和系统,所述方法和系统包括:将所述基板上的液体抗蚀剂与模板接触;以及利用第一组控制参数,使用反馈-前馈控制处理将所述基板与所述模板对准。获得校准数据,并且增大所述抗蚀剂的至少一部分的粘度。在增大所述抗蚀剂的粘度之后,利用第二组控制参数,使用所述反馈-前馈控制处理将所述基板与所述模板对准,基于所述校准数据确定所述第二组控制参数,并且固化所述模板下方的所述抗蚀剂。
根据另一实施例,在利用所述第一组控制参数、使用所述反馈-前馈控制处理将所述基板与所述模板对准的同时,生成所述校准数据。在另一实施例中,所述第一组控制参数包括频率分量,所述第二组控制参数表示基于所述校准数据生成的更新后的频率分量,并且基于所述第二组控制参数中的所述更新后的频率分量,将所述基板与所述模板对准。
此外,在另一实施例中,通过以下操作生成所述校准数据:接收随时间改变的一组对准控制;将所述一组对准控制转换为随第一状态变量改变的一组对准状态值;接收随时间改变的一组位置估计;将所述一组位置估计转换为随所述第一状态变量改变的一组位置状态值;以及生成一个或更多个协方差值。
在一个实施例中,所述一组对准控制包括:在所述反馈-前馈控制处理中使用的一个或更多个自适应函数;在控制所述载台的位置中使用的一个或更多个输出控制信号;以及能量控制器信号,其控制用于增大所述抗蚀剂的粘度而施加的能量的一个或更多个参数。在一个实施例中,所述一组位置估计包括:表示所述模板上的标记相对于所述基板上的标记的位置的第一位置信号,以及表示所述载台的位置的第二位置信号。
在另一实施例中,生成所述校准数据还包括获得第二组对准控制和第二组位置估计,其中,所述第二组对准控制和所述第二组位置估计基于先前进行的压印处理。在又一实施例中,所生成的协方差值用于通过修改在所述反馈-前馈控制处理期间应用的一个或更多个控制函数来生成所述第二组控制参数。
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