[发明专利]DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置

权利要求书

1.一种DRAM数据存储拓扑的探测方法，其特征在于，包括：

在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；

基于所述存储单元的内部物理数据与所述外部逻辑数据确定所述存储单元的数据存储拓扑类型，所述内部物理数据是所述外部逻辑数据写入所述存储单元后得到的。

2.根据权利要求1所述的探测方法，其特征在于，所述基于所述存储单元的内部物理数据与所述外部逻辑数据确定所述存储单元的数据存储拓扑类型的步骤，包括：

响应于所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据一致，确定所述存储单元的数据存储拓扑类型为正拓扑；

响应于所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据不一致，确定所述存储单元的数据存储拓扑类型为反拓扑。

3.根据权利要求2所述的探测方法，其特征在于，在所述在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据的步骤之前，还包括：

对所述存储单元进行漏电处理。

4.根据权利要求2或3所述的探测方法，其特征在于，所述基于所述存储单元的内部物理数据与所述外部逻辑数据确定所述存储单元的数据存储拓扑类型的步骤，还包括：

对所述存储单元进行再次漏电处理；

判断所述存储单元在所述再次漏电处理过程中是否有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据是否一致。

5.根据权利要求4所述的探测方法，其特征在于，所述外部逻辑数据为高电平数据，所述判断所述存储单元在所述再次漏电处理过程中是否有漏电，以确定所述内部物理数据与所述外部逻辑数据是否一致，包括：

从所述存储单元中读所述高电平数据；

若读失败，所述存储单元在所述再次漏电处理过程中有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据一致；

若读成功，所述存储单元在所述再次漏电处理过程中没有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据不一致。

6.根据权利要求4所述的探测方法，其特征在于，所述外部逻辑数据为低电平数据，所述判断所述存储单元在所述再次漏电处理过程中是否有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据是否一致，包括：

从所述存储单元中读所述低电平数据；

若读失败，所述存储单元在所述再次漏电处理过程中有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据不一致；

若读成功，所述存储单元在所述再次漏电处理过程中没有漏电，以确定所述存储单元的所述内部物理数据与所述外部逻辑数据一致。

7.根据权利要求3所述的探测方法，其特征在于，所述对所述存储单元进行漏电处理，包括：

在高温下，控制所述存储单元进入省电模式。

8.根据权利要求1所述的探测方法，其特征在于，所述在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据，包括：

依次遍历所述DRAM的各字线，分别在各所述字线对应的存储单元中写入外部逻辑数据；

所述探测方法进一步包括：

基于所述存储单元的地址信息及对应的数据存储拓扑生成存储拓扑函数。

9.根据权利要求1所述的探测方法，其特征在于，在所述在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据的步骤之前，进一步包括：

对所述DRAM进行上电及初始化配置。

10.一种DRAM数据存储拓扑的探测装置，其特征在于，包括：

图形向量产生模块，与DRAM连接，用于产生第一图形向量，在所述DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；

地址收集分析模块，与所述DRAM连接，用于基于所述存储单元的内部物理数据与所述外部逻辑数据确定所述存储单元的数据存储拓扑类型，所述内部物理数据是所述外部逻辑数据写入所述存储单元后得到的。