[发明专利]DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置

说明书

本申请公开了一种DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置。该DRAM数据存储拓扑的探测方法包括：在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；基于存储单元的内部物理数据与外部逻辑数据确定存储单元的数据存储拓扑类型，内部物理数据是外部逻辑数据写入存储单元后得到的。通过这种方式，能够准确且快速的探测DRAM存储阵列的各个存储单元的数据存储拓扑。

技术领域

本申请涉及动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)技术领域，特别是涉及一种DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置。

背景技术

DRAM存储阵列中需要通过设置灵敏放大器感知DRAM中的信息，而灵敏放大器两侧的存储单元的数据存储拓扑相反，数据存储拓扑的正反与存储阵列中字线的位置等因素有关，导致DRAM存储阵列的存储拓扑较复杂。

需要一种可以探测DRAM数据存储拓扑的方案，准确探测各个存储单元的数据存储拓扑，以便于准确灵活使用DRAM对数据进行读写。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置，以准确且快速的探测DRAM存储阵列的各个存储单元的数据存储拓扑。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种DRAM数据存储拓扑的探测方法。该DRAM数据存储拓扑的探测方法包括：在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；基于存储单元的内部物理数据与外部逻辑数据确定存储单元的数据存储拓扑类型，内部物理数据是外部逻辑数据写入存储单元后得到的。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种DRAM数据存储拓扑的探测装置。该DRAM数据存储拓扑的探测装置包括：图形向量产生模块，与DRAM连接，用于产生第一图形向量，在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；地址收集分析模块，与DRAM连接，用于基于存储单元的内部物理数据与外部逻辑数据确定存储单元的数据存储拓扑类型，内部物理数据是外部逻辑数据写入存储单元后得到的。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请先对DRAM中的存储单元写入外部逻辑数据；然后基于存储单元的内部物理数据与外部逻辑数据确定存储单元的数据存储拓扑类型，其中，内部物理数据是外部逻辑数据写入存储单元后得到的。本申请基于写入存储单元的外部逻辑数据及写入该外部逻辑数据之后的内部物理数据确定该存储单元的数据存储拓扑类型，只需要比对存储单元的外部逻辑数据及对应的内部逻辑数据就能数据存储拓扑类型，能够准确且快速的探测DRAM存储阵列的各个存储单元的数据存储拓扑。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是DRAM存储阵列的存储单元的结构示意图；

图2是DRAM存储阵列的结构示意图；

图3是DRAM存储阵列的存储单元的数据存储拓扑结构示意图；

图4是本申请DRAM数据存储拓扑的探测方法一实施例的流程示意图；

图5是本申请DRAM数据存储拓扑的探测方法一实施例的流程示意图；

图6是图5实施例中步骤S53的具体流程示意图；

图7是图6实施例中步骤S62的一具体流程示意图；

图8是图6实施例中步骤S62的一具体流程示意图；

图9是本申请DRAM数据存储拓扑的探测方法一实施例的流程示意图；

图10是本申请DRAM数据存储拓扑的探测装置一实施例的结构示意图。