[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210173477.4 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114649291A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 周意竣 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置的制造方法，包括：
提供模封基板，所述模封基板设置有基板，所述基板上设置有焊球和封装所述焊球的模封材，所述模封材设置有开口，所述焊球对应所述开口设置有切面；
以高温制程去除邻近所述焊球边缘的模封材；
以所述高温制程对所述焊球进行成球作业。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述以所述高温制程对所述焊球进行成球作业，包括：
所述高温制程直接对所述焊球的切面加热。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除邻近所述焊球边缘的模封材，包括：
去除邻近所述焊球边缘的模封材以露出所述焊球的侧壁。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切面分为多个区域，所述以所述高温制程对所述焊球进行成球作业，包括：
以所述高温制程分别加热于所述切面的多个区域。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述分别加热于所述切面的多个区域，包括：
按照加热路径依序加热所述多个区域。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述加热路径包括：由所述焊球边缘加热至所述焊球中心。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述由所述焊球边缘加热至所述焊球中心，包括：
由所述焊球外侧加热至所述焊球中心。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述加热路径包括：以环绕方式绕至所述焊球中心。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述环绕方式包括顺时针环绕或逆时针环绕。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高温制程具有能量指向性。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述高温制程具有能量集中性。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，所述高温制程包括：激光。
13.一种半导体封装装置，包括：
模封基板，所述模封基板设置有基板，所述基板上设置有焊球和模封材，所述模封材设置有开口，所述焊球的侧壁经所述开口露出。
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