[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。通过设计半导体封装装置的制造方法，包括：提供模封基板，模封基板设置有基板，基板上设置有焊球和封装焊球的模封材，模封材设置有开口，焊球对应开口设置有切面；以高温制程去除邻近焊球边缘的模封材；以高温制程对焊球进行成球作业。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及制造半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

系统级封装的双面封装模块结构(Double Side Module，DSM)DSM初始成球(ballfirst)制程需透过研磨露出锡球后再进行成球制程，然而研磨露出锡球后若直接进行成球时，助焊剂仅覆盖焊球(solder ball)上表面导致焊料(solder)与助焊剂反应效益降低，因此后续进入回流焊(reflow)制程以成球时会有球形不佳或球针等情况，影响封装产品的良品率。

发明内容

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

提供模封基板，所述模封基板设置有基板，所述基板上设置有焊球和封装所述焊球的模封材，所述模封材设置有开口，所述焊球对应所述开口设置有切面；

以高温制程去除邻近所述焊球边缘的模封材；

以所述高温制程对所述焊球进行成球作业。

在一些可选的实施方式中，所述以所述高温制程对所述焊球进行成球作业，包括：

所述高温制程直接对所述焊球的切面加热。

在一些可选的实施方式中，所述去除邻近所述焊球边缘的模封材，包括：

去除邻近所述焊球边缘的模封材以露出所述焊球的侧壁。

在一些可选的实施方式中，所述切面分为多个区域，所述以所述高温制程对所述焊球进行成球作业，包括：

以所述高温制程分别加热于所述切面的多个区域。

在一些可选的实施方式中，所述分别加热于所述切面的多个区域，包括：

按照加热路径依序加热所述多个区域。

在一些可选的实施方式中，所述加热路径包括：由所述焊球边缘加热至所述焊球中心。

在一些可选的实施方式中，所述由所述焊球边缘加热至所述焊球中心，包括：

由所述焊球外侧加热至所述焊球中心。

在一些可选的实施方式中，所述加热路径包括：以环绕方式绕至所述焊球中心。

在一些可选的实施方式中，所述环绕方式包括顺时针环绕或逆时针环绕。

在一些可选的实施方式中，所述高温制程具有能量指向性。

在一些可选的实施方式中，所述高温制程具有能量集中性。

在一些可选的实施方式中，所述高温制程包括：激光。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

模封基板，所述模封基板设置有基板，所述基板上设置有焊球和模封材，所述模封材设置有开口，所述焊球的侧壁经所述开口露出。