[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种TFT器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底之上的遮光层、位于所述遮光层之上的有源层、位于所述有源层之上的栅极、以及位于所述栅极之上的源极和漏极；

其中，所述有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区之间的沟道区；所述源极掺杂区与所述源极之间设置有第一金属氧化物层，所述漏极掺杂区与所述漏极之间设置有第二金属氧化物层，所述源极通过所述第一金属氧化物层与所述源极掺杂区电性连接，所述漏极通过所述第二金属氧化物层与所述漏极掺杂区电性连接。

2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层的材料为透明ITO。

3.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述第一金属氧化物层位于所述源极掺杂区远离所述沟道区一侧，且贴合于所述源极掺杂区的表面，所述第二金属氧化物层位于所述漏极掺杂区远离所述沟道区一侧，且贴合于所述漏极掺杂区的表面；

其中，所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层和所述栅极与所述源极和所述漏极之间设置有层间绝缘层。

4.根据权利要求3所述的TFT器件，其特征在于，所述栅极与所述层间绝缘层之间还设置有光阻图案。

5.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、以及铟镓锌锡氧化物中的一种或一种以上材料。

6.一种TFT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上制备遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，在所述缓冲层上制备有源层，在所述有源层上制备栅绝缘层，在所述栅绝缘层上制备栅极；

步骤S2，在所述有源层的源极掺杂区表面制备第一金属氧化物层，在所述有源层的漏极掺杂区表面制备第二金属氧化物层；

步骤S3，在所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层和所述栅极上制备层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备源极和漏极，所述源极通过所述第一金属氧化物层与所述源极掺杂区电性连接，所述漏极通过所述第二金属氧化物层与所述漏极掺杂区电性连接。

7.根据权利要求6所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中的所述层间绝缘层制备有源极接触孔和漏极接触孔，所述源极通过所述源极接触孔与所述第一金属氧化物层电性连接，所述漏极通过所述漏极接触孔与所述第二金属氧化物层电性连接。

8.根据权利要求6所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

步骤S11，在所述缓冲层上沉积一层金属氧化物半导层，进行退火处理后，采用草酸作为刻蚀液的湿法蚀刻工艺对金属氧化物半导层进行刻蚀，经过蚀刻制程后，形成岛状的有源层；

步骤S12，在所述有源层上依次沉积无机膜层和金属膜层，然后在金属膜层上沉积光阻层，对光阻层进行图案化处理，形成所需要的光阻图案，以所述光阻图案为阻挡层，对无机膜层和金属膜层进行刻蚀，形成所需要的栅绝缘层和栅极，并保留所述栅极上的光阻图案；其中，所述金属膜层的材料为铜、铝、钛、钽、钨、钼、铬中的一种或一种以上的金属材料。

9.根据权利要求8所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，步骤S2步骤具体包括：在所述有源层和所述光阻图案上沉积金属氧化物层，利用剥离工艺刻蚀掉所述光阻图案上方的金属氧化物层，形成所需要的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至5任一所述的TFT器件。