[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板

说明书

本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件中的有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区；源极掺杂区与源极之间设置有第一金属氧化物层，漏极掺杂区与漏极之间设置有第二金属氧化物层，源极通过第一金属氧化物层与源极掺杂区电性连接，漏极通过第二金属氧化物层与漏极掺杂区电性连接；由于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层与有源层中的金属氧化物层接触较好，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以作为源极、漏极与有源层之间的过渡层，可以有效改善二者欧姆接触问题，从而提高TFT器件的充电率，进而满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种TFT器件及其制备方法、阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD(Liquid CrystalDisplay，LCD)显示装置与OLED(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置中。

随着人们对显示质量日益增长的要求，和显示器向高分辨率、高频驱动、大尺寸、虚拟现实(VR)的快速发展，对TFT的硬件要求也越来越高，要求TFT具有迁移率大、电流开关比大、高透明、阈值电压小、制作工艺简单廉价等特点。现有市场上廉价显示器多为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)，其迁移率较低，一般小于1cm²/Vs，无法实现高分辨率和高速显示；而IGZO(indium galliumzinc oxide，铟镓锌氧化物)薄膜晶体管显示器，其迁移率约为10cm²/Vs，无法满足人们对显示的更高要求，如高分辨率、3D显示、VR显示。由此可知薄膜晶体管(TFT)的性能制约显示设备的显示分辨率、刷新率、尺寸等核心性能参数的提升。

综上，需要提出一种新的TFT器件及其制备方法、阵列基板，以解决现有技术的薄膜晶体管的迁移率较低，无法满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率的问题。

发明内容

本申请依据现有技术问题，提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，能够解决现有技术的薄膜晶体管的迁移率较低，无法满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种TFT器件，该TFT器件至少包括衬底、位于所述衬底之上的遮光层、位于所述遮光层之上的有源层、位于所述有源层之上的栅极、以及位于所述栅极之上的源极和漏极。

其中，所述有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区之间的沟道区；所述源极掺杂区与所述源极之间设置有第一金属氧化物层，所述漏极掺杂区与所述漏极之间设置有第二金属氧化物层，所述源极通过所述第一金属氧化物层与所述源极掺杂区电性连接，所述漏极通过所述第二金属氧化物层与所述漏极掺杂区电性连接。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层的材料为透明ITO。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属氧化物层位于所述源极掺杂区远离所述沟道区一侧，且贴合于所述源极掺杂区的表面，所述第二金属氧化物层位于所述漏极掺杂区远离所述沟道区一侧，且贴合于所述漏极掺杂区的表面。

其中，所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层和所述栅极与所述源极和所述漏极之间设置有层间绝缘层。

根据本发明一优选实施例，所述栅极与所述层间绝缘层之间还设置有光阻图案。

根据本发明一优选实施例，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、以及铟镓锌锡氧化物中的一种或一种以上材料。

依据上述实施例中的TFT器件，本发明提供一种TFT器件的制备方法，所述方法包括：