[发明专利]一种纳米线结构铜/硫化亚铜/铜网电极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210180435.3 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114381750B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 雷晓东;窦彤;王一平;杜嘉玮;何锦清 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C25B3/07 | 分类号： | C25B3/07;C25B3/26;C25B11/061;C25B11/056;C25B11/091 |
| 代理公司： | 北京恒和顿知识产权代理有限公司 11014 | 代理人： | 李宇嘉 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 硫化 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种纳米线结构铜/硫化亚铜/铜网电极材料的制备方法，具体制备步骤如下：
A.将铜网经过表面清洁预处理后置于氢氧化钠与过硫酸铵混合溶液中，混合溶液中氢氧化钠的浓度为2.5mol·L-1，过硫酸铵的浓度为0.1mol·L-1；浸渍10min后取出，用去离子水清洗后，置于60℃烘箱中干燥，得到在表面生长了氢氧化铜的铜网，表示为Cu(OH)2/CM；其中Cu(OH)2为纳米棒阵列结构，CM代表铜网，铜网的网眼尺寸为200目；
B.将步骤A的Cu(OH)2/CM与硫代乙酰胺分别置于瓷舟中放入管式炉；硫代乙酰胺放置在氮气流上游，Cu(OH)2/CM置在氮气流下游，硫代乙酰胺的摩尔质量为0.07mol，持续通入氮气，将温度设为150℃，以0.5℃·min-1的升温速率升温至设定温度并持续5h，自然冷却后用去离子水冲洗后置于60℃烘箱中干燥，得到在表面生长了硫化亚铜的铜网，表示为Cu2S/CM；其中Cu2S为纳米棒阵列结构，且表面粗糙；
C.将步骤B得到的Cu2S/CM作为阴极，即工作电极，石墨棒作为阳极，银/氯化银作为参比电极，置于H型电解槽中，电解质为二氧化碳饱和的0.5mol·L-1的碳酸氢钾溶液，在-0.8VvsRHE电压下还原10min，vs RHE表示相对于可逆氢电极，得到表面生长铜/硫化亚铜的铜网，表示为Cu/Cu2S/CM；其中Cu/Cu2S为纳米线网状结构，具有丰富的Cu+/Cu0催化位点。
2.一种根据权利要求1所述的方法制备的Cu/Cu2S/CM电极材料，其特征是Cu/Cu2S纳米线均匀的生长分布在铜网上，呈网状结构，具有丰富的Cu+/Cu0催化位点，每1000nm2Cu/Cu2S/CM表面中Cu和Cu2S的界面总长度为127nm。
3.一种根据权利要求2所述的纳米线结构Cu/Cu2S/CM电极材料的应用，该电极材料用于电催化还原二氧化碳生成乙醇的反应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210180435.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
