[发明专利]MicroLED发光阵列结构

权利要求书

1.一种MicroLED发光阵列结构，包括：

多个MicroLED像素单元(11)，成行线和列线互联的阵列结构排列；

所述MicroLED像素单元(11)包括：

衬底(1)；

MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底(1)上；以及

吸收层(9)，形成于所述衬底(1)上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。

2.根据权利要求1所述的MicroLED发光阵列结构，其中，所述MicroLED像素单元(11)还包括：

反射层(10)，形成于所述衬底(1)的底部；

所述反射层(10)相较于所述衬底(1)的底部边缘缩进2-8um；所述反射层(10)采用厚度为20-40um的白色聚合物类有机材料，所述白色聚合物类有机材料包括白色感光显影型覆盖膜。

3.根据权利要求1所述的MicroLED发光阵列结构，其中，所述MicroLED像素单元基片包括：

外延层(12)，形成于所述衬底(1)的表面上；

电极层(13)，形成于所述外延层(12)的表面上，且位于所述外延层(12)表面的两端；以及

绝缘层(8)，覆盖所述外延层(12)表面的第一剩余部分；其中，所述绝缘层(8)与所述电极层(13)形成平面，所述第一剩余部分为所述外延层(12)未被所述电极层(13)覆盖的部分；

其中，所述吸收层(9)覆盖所述外延层(12)和所述电极层(13)的侧壁，并覆盖所述衬底(1)表面的第二剩余部分；所述吸收层(9)高出所述绝缘层(8)与所述电极层(13)所形成的平面，所述第二剩余部分为所述衬底(1)未被所述外延层(12)覆盖的部分。

4.根据权利要求3所述的MicroLED发光阵列结构，其中，所述外延层(12)包括：

u-GaN缓冲层(2)，形成于所述衬底(1)的表面上；

N-GaN外延层(3)，覆盖所述u-GaN缓冲层(2)的表面上；

多量子阱MQW层(4)，覆盖所述N-GaN外延层(3)的表面，所述电极层(13)的一端形成于所述多量子阱MQW层(4)上；以及

P-GaN层(5)，形成于所述多量子阱MQW层(4)表面上并自所述多量子阱MQW层(4)的表面边缘延伸，所述电极层(13)的另一端形成于所述P-GaN层(5)上；

其中，所述绝缘层(8)覆盖所述P-GaN层(5)未被所述电极层(13)覆盖的部分，所述绝缘层(8)覆盖所述多量子阱MQW层(4)未被所述电极层(13)和所述P-GaN层(5)覆盖的部分。

5.根据权利要求4所述的MicroLED发光阵列结构，其中，所述电极层(13)包括：

P电极(6)，形成于所述P-GaN层(5)的表面上并自所述P-GaN层(5)的表面边缘延伸，所述电极材料为CrAlAu；以及

N电极(7)，形成于所述多量子阱MQW层(4)的表面上并自所述多量子阱MQW层(4)的表面边缘延伸，所述电极材料为CrAlAu；

其中，所述P电极(6)、所述N电极(7)和所述绝缘层(8)形成平面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的MicroLED发光阵列结构，其中：

所述MicroLED像素单元(11)的面积小于0.003mm²；

所述吸收层(9)采用厚度为20-40um的黑色聚合物类有机材料，所述黑色聚合物类有机材料包括黑色感光显影型覆盖膜。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的MicroLED发光阵列结构，其中：

所述衬底(1)的材料为蓝宝石材料；

所述绝缘层(8)的材料为SiO2材料；

所述外延层(12)的材料为不导电的材料。