[发明专利]MicroLED发光阵列结构

说明书

本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。

技术领域

本公开涉及光电器件领域，尤其涉及一种MicroLED发光阵列结构及其制备方法、MicroLED显示装置。

背景技术

发光二极管(LED)以其高光效高亮度等特点作为第三代绿色光源广泛应用于固态照明领域，又因其自发光、无观看视角、响应快被越来越多地应用于平板显示领域，尤其是近几年兴起的微型发光二极管(Mini/MicroLED)新型平板显示领域。

MicroLED显示屏主要应用于AR/VR头盔显示和可穿戴电子领域，像素点距小于50um，发光芯片间隔小于10um，如此小的芯片间隔致使在全彩显示时光串扰严重。此外，微米量级的芯片的边角的亮度较中间区域更高，亮度分布不均匀，影响显示效果。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本公开的主要目的在于提供一种MicroLED发光阵列结构及其制备方法、MicroLED显示装置，以期至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种MicroLED发光阵列结构，包括：

多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。

在本公开的一些实施例中，所述MicroLED像素单元还包括：反射层，形成于所述衬底的底部；所述反射层相较于所述衬底的底部边缘缩进2-8um；所述反射层采用厚度为20-40um的白色聚合物类有机材料，所述白色聚合物类有机材料包括白色感光显影型覆盖膜。

在本公开的一些实施例中，所述MicroLED像素单元基片包括：外延层，形成于所述衬底的表面上；电极层，形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；以及绝缘层，覆盖所述外延层表面的第一剩余部分；其中，所述绝缘层与所述电极层形成平面，所述第一剩余部分为所述外延层未被所述电极层覆盖的部分；其中，所述吸收层覆盖所述外延层和所述电极层的侧壁，并覆盖所述衬底表面的第二剩余部分；所述吸收层高出所述绝缘层与所述电极层所形成的平面，所述第二剩余部分为所述衬底未被所述外延层覆盖的部分。

在本公开的一些实施例中，所述外延层包括：u-GaN缓冲层，形成于所述衬底的表面上；N-GaN外延层，覆盖所述u-GaN缓冲层的表面上；多量子阱MQW层，覆盖所述N-GaN外延层的表面，所述电极层的一端形成于所述多量子阱MQW层上；以及P-GaN层，形成于所述多量子阱MQW层表面上并自所述多量子阱MQW层的表面边缘延伸，所述电极层的另一端形成于所述P-GaN层上；其中，所述绝缘层覆盖所述P-GaN层未被所述电极层覆盖的部分，所述绝缘层覆盖所述多量子阱MQW层未被所述电极层和所述P-GaN层覆盖的部分。

在本公开的一些实施例中，所述电极层包括：P电极，形成于所述P-GaN层的表面上并自所述P-GaN层的表面边缘延伸，所述电极材料为CrAlAu；以及N电极，形成于所述多量子阱MQW层的表面上并自所述多量子阱MQW层的表面边缘延伸，所述电极材料为CrAlAu；其中，所述P电极、所述N电极和所述绝缘层形成平面。

在本公开的一些实施例中，所述MicroLED像素单元的面积小于0.003mm²；所述吸收层采用厚度为20-40um的黑色聚合物类有机材料，所述黑色聚合物类有机材料包括黑色感光显影型覆盖膜。