[发明专利]一种PVDF基压电传感器及其制备方法在审
申请号: | 202210184724.0 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114577374A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 林国良;林奥翔;麻胜兰;张筱逸;林荣和;戴龙辉 | 申请(专利权)人: | 福建工程学院;福建省兴岩建设集团有限公司 |
主分类号: | G01L1/16 | 分类号: | G01L1/16;H01L41/08;H01L41/18;H01L41/37;D01D5/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 张灯灿;蔡学俊 |
地址: | 350118 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvdf 压电 传感器 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种PVDF基压电传感器及其制备方法,该传感器包括BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜、两片导电银胶带、两片塑封膜、冷压端子和屏蔽导线,所述BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜由BT‑BFO纳米材料和PVDF材料制成,所述两片导电银胶带上分别具有引脚部,所述两片导电银胶带分别贴附于BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜的上、下两侧,所述两片塑封膜分别贴附于两片导电银胶带的上、下两侧,所述两片导电银胶带的引脚部分别连接一所述冷压端子,两个所述冷压端子分别连接所述屏蔽导线。该传感器介电常数高,介电损耗低,工作温度高。
技术领域
本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种PVDF基压电传感器及其制备方法。
背景技术
压电材料在土木工程领域作为一种新兴的技术材料,就目前的研究现状而言,利用压电材料进行损伤识别主要有两种方法:波动法和机械阻抗法。MIT Suru等将PVDF压电薄膜贴于刻有缺口的受静载或冲击作用的试件表面。试验表明,与完整试件相比,压电传感器的输出发生了变化,特别是在缺口附近区域电压值明显增大。Shawn等人将6片压电陶瓷贴于试件的两端分别作为激励器和传感器,通过分析振动波在试件中的传播,找出了损伤部位,并对损伤程度进行了估计。压电智能材料因其独特的性能,有着广阔的应用前景,越来越多地被重视,也取得了大量的研究成果。但是目前的压电智能材料距离工程实用还有相当的距离,具体表现在:PZT压电陶瓷的易脆特性,在实际工程中往往会出现30%以上的损坏率。PVDF存在介电常数小、介电损耗大、电容小和易受环境因素(如温度)影响等缺点。因此,考虑将无机材料与PVDF聚合物相结合,从而获得具备工作温度高、介电损耗小的传感器,具有较大的工程应用价值。
目前利用PVDF压电薄膜的研究有:李焰等在PVDF压电薄膜的冲击加载与卸载响应试验研究中发现,PVDF压电薄膜在高应力下的冲击压缩应力—电荷曲线具有很大的非线性性,当使用其标定曲线延伸段时,可能会带来很大的误差,且PVDF具有明显的滞后效应;郭伟国针对施加力与不同温度这两个要素对PVDF压电薄膜进行了研究,研究后结果表明PVDF压电薄膜的温度比较容易影响到它的压电特性,在不一样的施加力的情况下,PVDF压电薄膜也拥有不一样的压电特性。这些研究表明现有传统PVDF传感器具有较低介电常数、介电损耗大、电容小和工作温度低和响应不灵敏等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PVDF基压电传感器及其制备方法,该传感器介电常数高,介电损耗低,工作温度高。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种PVDF基压电传感器,包括BT-BFO/PVDF复合压电薄膜、两片导电银胶带、两片塑封膜、冷压端子和屏蔽导线,所述BT-BFO/PVDF复合压电薄膜由BT-BFO纳米材料和PVDF材料制成,所述两片导电银胶带上分别具有引脚部,所述两片导电银胶带分别贴附于BT-BFO/PVDF复合压电薄膜的上、下两侧,所述两片塑封膜分别贴附于两片导电银胶带的上、下两侧,所述两片导电银胶带的引脚部分别连接一所述冷压端子,两个所述冷压端子分别连接所述屏蔽导线。
进一步地,将所述PVDF基压电传感器应用于装配式混凝土结构中灌浆套筒的密实度监测,其实现方法为:在套筒的出浆口和注浆口旁侧分别布设一个所述PVDF基压电传感器,靠近出浆口的传感器作为激励器,靠近注浆口的传感器作为接收器,所述接收器连接数据采集卡的接收端,所述数据采集卡的激励端连接电压放大器的输入端,所述电压放大器的输出端连接所述激励器,所述数据采集卡连接计算机;
待试件养护设定天数后,按如下方法进行套筒灌浆密实度检测:计算机控制数据采集卡产生一个电压信号,信号经过电压放大器后将信号放大,放大后的信号对激励器进行激励产生应力波,应力波在套筒内部发生衰减,衰减后的信号被接收器接收,接收的信号被数据采集卡所采集并在计算机上显示。
进一步地,两个PVDF基压电传感器在套筒上的安装位置从周向来看相差180°,即一个位于套筒的正面,另一个位于套筒的背面。
进一步地,所述PVDF基压电传感器的制备方法,包括以下步骤:
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