[发明专利]一种异型半导体纳米电热膜发热体在审
申请号: | 202210185868.8 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114423103A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 罗浩;杨小华;蔡建财 | 申请(专利权)人: | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
主分类号: | H05B3/02 | 分类号: | H05B3/02;H05B3/03;H05B3/20 |
代理公司: | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人: | 徐文昌 |
地址: | 364000 福建省龙岩市新*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异型 半导体 纳米 电热 发热 | ||
1.一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于,包括基体(1),所述基体(1)内的左右两侧均镀有电极(2),所述基体(1)上表面的中部镀有半导体纳米电热膜(3),所述半导体纳米电热膜(3)的两端与两个电极(2)通电部位固定连接,所述半导体纳米电热膜(3)的数量大于一个,所述基体(1)上表面的外侧和两个相邻的半导体纳米电热膜(3)之间均使用半导体纳米电热膜阻隔液防止镀膜的处理或在镀膜后可以进行激光除膜和打磨喷砂处理形成未镀膜绝缘基体(4)。
2.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于:每个所述半导体纳米电热膜(3)的面积相等。
3.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于:所述电极(2)两端采用高温接线的方式与外部的导线连接。
4.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于:所述电极(2)为台阶状,且两个电极(2)与每个半导体纳米电热膜(3)通电部位相互平行。
5.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于:所述基体(1)的侧面做有绝缘处理。
6.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体,其特征在于:所述基体(1)的材质为玻璃、陶瓷和经绝缘层处理后的金属。
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