[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202210186332.8 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114927466A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/11 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构，包括：
一第一介电部件，沿一第一方向延伸，该第一介电部件具有一第一侧和与该第一侧相对的一第二侧；
一第一半导体层，设置相邻于该第一介电部件的该第一侧，该第一半导体层沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸；
一接触蚀刻停止层，接触该第一介电部件和该第一半导体层的一部分；
一层间介电层，接触该接触蚀刻停止层和该第一半导体层的一部分；以及
一第二介电部件，沿该第一方向延伸，该第二介电部件包括：
一第一介电层，接触该接触蚀刻停止层和该第一半导体层的一部分；及
一第二介电层，接触该第一介电层和该第一半导体层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
