[发明专利]半导体装置结构

说明书

结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层的一部分；层间介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分。此结构还包含第二介电部件，沿第一方向延伸，第二介电部件包括：第一介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；及第二介电层，接触第一介电层和第一半导体层的一部分。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构及其形成方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的工艺提供增加生产效率与降低相关费用的优点。此元件尺寸微缩化也带来新的挑战。举例来说，已提出使用纳米线通道的晶体管，以实现增加的装置密度以及在装置中更大的载子移动率和驱动电流。随着装置尺寸缩减，需要持续改善加工及制造集成电路。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置结构，半导体装置结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸；接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层的一部分；层间介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；以及第二介电部件，沿第一方向延伸，第二介电部件包含：第一介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；及第二介电层，接触第一介电层和第一半导体层的一部分。

在一些实施例中，提供半导体装置结构，半导体装置结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸；层间介电层，接触第一半导体层的一部分；第二半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第二半导体层平行于第一半导体层；以及介电鳍，沿第一方向延伸，并接触第二半导体层。

在另外一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含从基底形成第一鳍结构、第二鳍结构和第三鳍结构，其中第一鳍结构包含第一多个半导体层，第二鳍结构包含第二多个半导体层，且第三鳍结构包含第三多个半导体层，且其中第一多个半导体层、第二多个半导体层和第三多个半导体层的每一者包含第一半导体层和第二半导体层；在第一鳍结构、第二鳍结构与第三鳍结构之间形成绝缘材料；在第二鳍结构中形成端部切口，端部切口暴露基底的上部；在端部切口中形成介电鳍；在绝缘材料上及第一鳍结构与介电鳍之间形成第一介电部件；在绝缘材料上及介电鳍与第三鳍结构之间形成第二介电部件；在第一鳍结构、第二鳍结构、第三鳍结构、第一介电部件和第二介电部件的一部分上形成牺牲栅极堆叠物；移除未被牺牲栅极堆叠物覆盖的第一鳍结构、第三鳍结构和介电鳍的一部分；移除牺牲栅极堆叠物，以暴露第一鳍结构、第二鳍结构和第三鳍结构的一部分；移除第一多个半导体层、第二多个半导体层和第三多个半导体层的第二半导体层；以及形成栅极电极层，以围绕第一多个半导体层、第二多个半导体层和第三多个半导体层的第一半导体层的至少三个表面。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图可以更加理解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件(feature)并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1-2为依据一些实施例的制造半导体装置结构的各阶段的透视图。

图3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A为依据一些实施例，沿图3C的线A-A截取的制造半导体装置结构的各阶段的剖面侧视图。