[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一finfet单元，所述第一finfet单元的每个具有根据模拟电路设计规则的模拟鳍边界；

第二finfet单元，所述第二finfet单元的每个具有根据数字电路设计规则的数字鳍边界；

第一电路，形成有所述第一finfet单元；

第二电路，形成有所述第二finfet单元；以及

第三电路，形成有所述第一finfet单元中的一个或多个和所述第二finfet单元中的一个或多个。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二finfet单元用作电流模式逻辑中的开关。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二finfet单元包括中段制程(MEOL)层，所述中段制程层包括多个源极/漏极接触件，其中，所述多个源极/漏极接触件包括具有第一电阻的第一源极/漏极接触件以及具有小于或等于所述第一源极/漏极接触件的所述第一电阻的0.5倍的第二电阻的第二源极/漏极接触件。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一finfet单元用于输入/输出(I/O)电路并且用作长沟道晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，形成有所述第二finfet单元的串行器/解串器电路单元直接邻接形成有所述第二finfet单元的数字逻辑电路单元。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二finfet单元配置为包括具有更短金属长度的金属层，从而使得电迁移(EM)最大电流更高。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二finfet单元具有更高的跨导(GM)、更高的单位增益频率(UGF)和更高的最大电迁移(EM)电流。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第一finfet单元具有位于鳍栅格结构的栅格线上的第一鳍；以及

所述第二finfet单元具有位于所述鳍栅格结构的所述栅格线之间的第二鳍。

9.一种半导体结构，包括：

第一finfet单元，具有第一鳍边界，包括：

第一有源区域，与具有均匀间距的对应栅格线对准；以及

第一栅极导体，设置在所述第一有源区域上并且电耦接至所述第一有源区域；以及

第二finfet单元，具有第二鳍边界，包括：

第二有源区域，与所述第一鳍边界的所述栅格线交错；以及

第二栅极导体，设置在所述第二有源区域上并且与所述第二有源区域电耦接。

10.一种制造半导体结构的方法，包括：

形成具有第一finfet单元的第一电路，所述第一finfet单元具有位于鳍栅格结构的栅格线上的第一鳍；

形成具有第二finfet单元的第二电路，所述第二finfet单元具有与所述鳍栅格结构的所述栅格线交错的第二鳍；以及

形成具有所述第一finfet单元中的至少一个和所述第二finfet单元中的至少一个的第三电路。