[发明专利]嵌埋元器件封装基板的制作方法

权利要求书

1.一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤：

(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；

(b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；

(c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；

(d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其中步骤(b)包括：

(b1)准备临时承载板，所述临时承载板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起；

(b2)在所述第二铜层的上表面上施加芯片粘接层；

(b3)将所述器件的背面贴合在所述芯片粘接层上；

(b4)在所述芯片粘接层上形成嵌埋所述器件的封装层，并在所述封装层的上表面上形成铜箔层；

(b5)将所述第一铜层和所述第二铜层物理分离以移除所述核心层和所述第一铜层；

(b6)蚀刻所述第二铜层和所述铜箔层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其中步骤(a)还包括：形成沿高度方向贯穿所述半成品基板的第一铆钉孔。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其中步骤(b5)还包括：移除所述核心层和所述第一铜层后，形成沿高度方向贯穿所述第二铜层、所述封装层和所述铜箔层的第二铆钉孔，且所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔能够纵向重合。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其中步骤(c)还包括：通过铆钉贯穿所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔以将压合后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层铆合固定，并将铆合固定后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层固化，然后移除所述铆钉。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述核心层选自PP、金属或玻璃。

7.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述铜箔层的厚度和所述第二铜层的厚度相同或相近。

8.根据权利要求2所述的制作方法，其中步骤(b2)包括通过点胶或贴DAF的方式在所述临时承载板的上表面上施加芯片粘接层。

9.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述封装层选自PP、ABF和PID中的一种或多种的组合。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述粘性层选自PP、ABF、PID或纯胶粘结片。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述步骤(d)包括：

(d1)在所述封装层内和所述粘性层内形成暴露所述第一线路层或所述器件的端子的导通盲孔；

(d2)在所述导通盲孔的底部和侧壁以及所述封装层的上表面上形成第一金属种子层；

(d3)电镀所述导通盲孔形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，以及与所述器件的端子连通的导通孔，并在所述封装层的上表面上电镀形成外铜层；

(d4)在所述外铜层上施加第一光刻胶层，曝光显影所述第一光刻胶层形成第一特征图案；

(d5)在所述第一特征图案中蚀刻暴露的外铜层和第一金属种子层；

(d6)移除所述第一光刻胶层。