[发明专利]嵌埋元器件封装基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括：(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；(b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；(c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；(d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及嵌埋元器件封装基板的制作方法。

背景技术

随着电子产业的不断发展，电子产品多功能和微型化成为发展趋势。在封装基板领域，将元器件嵌埋入基板内部可以帮助电子产品实现高集成、多功能和微型化的需求。

现有封装基板嵌埋技术中，分为有腔体技术和无腔体技术。有腔体技术需要先在基板上制作腔体，然后将元器件置入腔体内部，最后封装、增层；无腔体技术则直接在基板或承载板表面贴装元器件，然后封装、增层。

有腔体技术，腔体的尺寸、位置精度受设备、工艺方式限制，成本较高。现有无腔体技术，通常的制作方式是先制作基板，然后在基板表面单面贴合元器件，最后压合树脂介质封装和制作线路；或者先在承载板封装元器件，然后在其表面上逐一增层。

有腔体技术和无腔体技术在结构上均是非对称的，制作的方式也是非对称制作，因材料之间CTE(热膨胀系数)的差异，尤其是固化树脂类介质时会导致应力不平衡而发生基板翘曲。

此外，有腔体技术和无腔体技术均是在封装之后再进行线路增层，后制程产生的报废直接导致了嵌埋元器件的损失，层数越多、线路越密集，良率损失就越高，则元器件的损失也越大。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种嵌埋元器件封装基板的制作方法。

基于上述目的，本发明第一方面提供一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤：

(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；

(b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；

(c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；

(d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。

在一些实施方案中，步骤(b)包括：

(b1)准备临时承载板，所述临时承载板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起；

(b2)在所述第二铜层的上表面上施加芯片粘接层；

(b3)将所述器件的背面贴合在所述芯片粘接层上；

(b4)在所述芯片粘接层上形成嵌埋所述器件的封装层，并在所述封装层的上表面上形成铜箔层；

(b5)将所述第一铜层和所述第二铜层物理分离以移除所述核心层和所述第一铜层；

(b6)蚀刻所述第二铜层和所述铜箔层。