[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，包括：

形成沿第一方向堆叠的叠层结构，其中，所述叠层结构中贯穿有多个沟道结构；

形成沿第二方向贯穿所述叠层结构的顶部选择栅切口，其中，所述沟道结构分布于所述顶部选择栅切口的两侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及

在所述顶部选择栅切口内形成填充层，其中，所述填充层具有至少部分暴露的导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述叠层结构具有第一表面，所述顶部选择栅切口位于所述叠层结构的靠近所述第一表面的一侧，以及

形成所述填充层的步骤包括：

在所述顶部选择栅切口内依次形成绝缘层、粘合层以及导电层，其中，所述导电层的靠近所述第一表面的一侧暴露。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述沟道结构排列成与所述第二方向相互平行的行，所述方法还包括：

形成贯穿所述叠层结构的栅线缝隙，其中，所述栅线缝隙将所述叠层结构分割成多个叠层部分，位于所述栅线缝隙和与其相邻的所述顶部选择栅切口之间的所述沟道结构的行数与位于两两相邻的所述顶部选择栅切口之间的所述沟道结构的行数相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，每个所述叠层部分包括核心区和台阶区，所述沟道结构位于所述核心区，所述台阶区覆盖有台阶区介质层，

其中，形成所述顶部选择栅切口的步骤包括：

去除所述核心区的一部分以及去除所述台阶区介质层的一部分，形成所述顶部选择栅切口。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

去除所述填充层的位于所述核心区的一部分形成空隙，并在所述空隙内填充刻蚀停止层，其中，所述导电层的位于所述台阶区介质层的部分暴露。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述沟道结构具有功能层和沟道层，所述顶部选择栅切口将与其相邻的所述沟道结构的功能层贯穿并暴露所述沟道层的至少部分，

其中，在形成所述填充层过程中，所述绝缘层覆盖所述沟道层暴露的部分。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述填充层包括：位于所述台阶区的第一填充层部分和位于所述核心区的第二填充层部分，

所述第一填充层部分沿第三方向的最大尺寸大于所述第二填充层部分在相同方向上的最大尺寸，其中，所述第三方向与所述第一方向垂直，且与所述第二方向垂直。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述沟道结构的靠近所述刻蚀停止层的一侧形成沟道接触部，

其中，所述沟道接触部与所述沟道结构接触，或者，所述沟道接触部的一部分与所述沟道结构接触，另一部分与所述刻蚀停止层接触。

9.一种三维存储器，包括：

叠层结构；

多个沟道结构，所述沟道结构沿第一方向贯穿所述叠层结构的一部分；以及

填充层，沿第二方向贯穿所述叠层结构并具有导电层，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其中，多个所述沟道结构排列成与所述第二方向相互平行的行，所述填充层的数量包括多个，以及

所述三维存储器还包括：

贯穿所述叠层结构的栅线缝隙结构，其中，位于所述栅线缝隙结构和与其相邻的所述填充层之间的所述沟道结构的行数与位于两两相邻的所述填充层之间的所述沟道结构的行数相同。

11.根据权利要求9所述的三维存储器，其中，所述填充层包括：

绝缘层、粘合层以及导电层，其中，所述导电层位于所述绝缘层的远离所述沟道结构的一侧，所述粘合层位于所述导电层和所述绝缘层之间。

12.根据权利要求9所述的三维存储器，其中，所述沟道结构具有功能层和沟道层，所述填充层贯穿所述功能层并与所述沟道层接触。