[发明专利]从EUV掩模去除污染物

说明书

含有磺酸和氯离子源的水性清洁组合物用于清洁半导体制造中使用的EUV掩模中的污染物。任选地，该水性清洁组合物可以包含氧化剂和表面活性剂。该水性清洁组合物从该掩模去除锡以及其他污染物。此类其他污染物包括但不限于氧化铝、蚀刻和光致抗蚀剂残留物。

技术领域

本发明涉及一种使用含有磺酸和氯离子的水性溶液从EUV掩模去除污染物的方法。更具体地，本发明涉及一种使用含有磺酸和氯离子的水性溶液从EUV 掩模去除污染物的方法，其中从EUV掩模去除的污染物中的至少一种是锡。

背景技术

极紫外(EUV)光刻技术是一种用于半导体制造的先进光刻技术。EUV光可以由激光产生的锡等离子体产生。为实现更高的锡离子化率和更高的转换效率而开发了双激光脉冲发射方案，以确保用于大批量半导体制造(HVM)的13.5 nm高功率(即大于200瓦)的光源。尽管制定了一些措施来防止锡污染半导体制造中的关键部件和光学器件，但仍需要定期维护(PM)的标准工具以实现稳定的功率吞吐量并防止图案故障。

用于EUV掩模的防护膜(Pellicles)，即保护性膜，对于HVM来说相对较晚出现。在没有防护膜的情况下，污染物，例如环境粒子、氧化铝(Al₂O₃) 粒子和锡，会污染EUV掩模，从而导致掩模缺陷。在光刻工艺中必须定期清洁 EUV掩模以解决污染问题。用于从EUV掩模去除污染物的标准清洁组合物是硫酸和过氧化氢(SPM)的水性混合物。然而，在约30次清洁运行后，SPM会导致EUV掩模的钽(Ta)基吸收剂和抗反射涂层(ARC)的明显的临界尺寸(CD) 损失。除了Ta基吸收剂和ARC的CD损失外，SPM已显示出从EUV掩模去除锡的清洁性能不足。

因此，半导体制造行业需要一种新的组合物和方法来清洁EUV掩模，尤其是清洁EUV掩模中的锡。

发明内容

本发明涉及一种从极紫外掩模去除污染物的方法，包括：

a)检查极紫外掩模的污染物；

b)提供由水、磺酸或其盐、氯离子源、任选的氧化剂和任选的表面活性剂组成的水性清洁组合物；以及

c)使极紫外掩模与水性清洁组合物接触以从极紫外掩模至少去除锡。

本发明进一步涉及一种从极紫外掩模去除污染物的方法，包括：

a)检查极紫外掩模的污染物；

b)提供由水、氯离子源、具有下式的磺酸或其盐、任选的氧化剂和任选的表面活性剂组成的水性清洁组合物：

R-S(＝O)₂-OH (I)

其中R是烷基或芳基；以及

c)使极紫外掩模与水性清洁组合物接触以从极紫外掩模至少去除锡。

本发明的方法和清洁组合物能够从EUV掩模至少去除锡和其他污染物，诸如但不限于在半导体制造中常见于EUV掩模上的氧化铝、蚀刻残留物和光致抗蚀剂残留物。与用于EUV掩模的许多常规清洁组合物和工艺相比，本发明的方法和清洁组合物还减少或防止对EUV掩模结构部件诸如但不限于覆盖层和ARC 的实质性损坏。本领域普通技术人员通过阅读本申请的说明书和实例可以理解本发明的其他优点和改进。

附图说明

图1示出了本发明的EUV掩模，其示出了各种结构部件以及EUV光以6°主光线角施加到EUV掩模的表面。

具体实施方式