[发明专利]真空处理装置和使用该真空处理装置的真空处理方法在审
申请号: | 202210202538.5 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN115020275A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 郑京勳;西口昌男;岩瀬大辅;卢基俊;张万洙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/56;C23C16/04;C23C16/54 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张红霞;周艳玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 使用 方法 | ||
1.一种真空处理装置,包括:
沿着第一方向依次布置的多个传送室;
沿着垂直于所述第一方向的第二方向连接到所述多个传送室的多个处理室;以及
连接到所述多个传送室中的第一传送室的位置转换室,
其中所述多个传送室各自包括旋转运动台,所述旋转运动台被配置用以围绕垂直于所述第一方向和所述第二方向的旋转轴线旋转,并且用以沿着由所述第一方向和所述第二方向形成的平面移动。
2.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中:
所述多个传送室通过沿着所述第二方向间隔开的第一连接通道和第二连接通道彼此连接;并且
所述位置转换室包括通过沿着所述第一方向与所述第一连接通道对齐的第三连接通道连接到所述第一传送室的第一位置转换室,以及通过沿着所述第一方向与所述第二连接通道对齐的第四连接通道连接到所述第一传送室的第二位置转换室。
3.根据权利要求2所述的真空处理装置,进一步包括:
位于所述第一位置转换室中的开始位置;以及
位于所述第二位置转换室中的结束位置。
4.根据权利要求3所述的真空处理装置,其中其上安装有基板的载体从位于所述第一位置转换室中的所述开始位置沿着所述第一方向按顺序穿过所述多个传送室,然后沿着与所述第一方向相反的方向以相反的顺序穿过所述多个传送室,并且然后被传送到位于所述第二位置转换室中的所述结束位置。
5.根据权利要求4所述的真空处理装置,其中:
所述多个传送室各自包括位于所述旋转运动台上并且彼此间隔开的第一主传送路径和第二主传送路径;
所述第一主传送路径包括彼此分离的第一主传送轨道和第二主传送轨道;并且
所述第二主传送路径包括彼此间隔开的第三主传送轨道和第四主传送轨道。
6.根据权利要求5所述的真空处理装置,其中:
所述多个处理室包括沿着所述第二方向彼此分离并且连接到所述第一传送室的第一处理室和第二处理室;
所述第一处理室和所述第二处理室各自包括第一子传送路径和第二子传送路径;并且
通过所述旋转运动台的第一次旋转,所述第一处理室的所述第二子传送路径在所述第二方向上与所述第一主传送轨道对齐,并且所述第二处理室的所述第一子传送路径在所述第二方向上与所述第一传送室的所述第三主传送轨道对齐。
7.根据权利要求6所述的真空处理装置,其中,通过所述旋转运动台的水平移动,所述第一处理室的所述第二子传送路径在所述第二方向上与所述第二主传送轨道对齐,并且所述第二处理室的所述第一子传送路径在所述第二方向上与所述第一传送室的所述第四主传送轨道对齐。
8.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中:
所述位置转换室包括第一位置转换室和第二位置转换室;
所述真空处理装置进一步包括连接到所述第一位置转换室的第一装载锁定室和连接到所述第一位置转换室的载体传送室;
载体在表面面对所述第一方向或所述第二方向的第一位置状态下从所述载体传送室传送到所述第一位置转换室,并且然后所述载体在所述第一位置转换室中从所述第一位置状态改变到所述表面面对由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面的第二位置状态,
在待处理的基板的处理表面面对由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面的所述第二位置状态下,所述基板被运送到所述第一装载锁定室中,并且然后被传送到所述第一位置转换室,并且
所述基板在所述第一位置转换室中安装在所述载体上。
9.根据权利要求8所述的真空处理装置,其中所述基板和所述载体在所述第一位置转换室中从所述第二位置状态改变到所述第一位置状态。
10.根据权利要求9所述的真空处理装置,其中所述基板和所述载体被传送到所述多个传送室和所述多个处理室中,同时保持所述第一位置状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造