[发明专利]半导体存储装置及其标识方法

说明书

本公开提供了一种半导体存储装置及其标识方法，涉及半导体封装技术领域。该半导体存储装置的标识方法包括：提供包括外围区的半导体存储装置，在外围区上设置有外装构件，外装构件上具有封装面；在封装面上形成记录层，并将封装面划分为多个像素区域；外围区还设置有控制器和预设的像素电路，通过控制器控制像素电路中的像素电阻通电，使与通电后的像素电阻对应的像素区域显色，以在记录层上形成具有特定形状的标识。本公开通过设置在外围区的控制器和像素电路，通过控制器控制像素电路中的像素电阻通电发热，使得涂布在装置封装面上特定区域的热敏材料显色，可在测试过程中完成对装置标识的记录，提高了半导体装置的标识记录效率。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储装置及其标识方法。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)是一种半导体存储器，由于其存储单元结构简单、集成度高，且具有大容量化、高速化以及低功率化等特点，现被广泛应用于各个领域。

在上述存储器的制造过程中，在芯片进行封装测试后，会在芯片的表面进行芯片相关信息的记录，通常会在芯片封装后将芯片置于激光标识机中，通过镭射刻字的方法将芯片的信息刻印在芯片表面，但通过激光标记芯片的方式需要把芯片从封测机器中移至激光标刻机中才能进行标识，导致效率低，且由于激光镭射刻字的当量控制问题会导致芯片的损坏，降低了产能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种半导体存储装置及其标识方法。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置的标识方法，该方法包括：提供包括外围区的半导体存储装置，在所述外围区上设置有外装构件，所述外装构件上具有封装面；

在所述封装面上形成记录层，并将所述封装面划分为多个像素区域；

所述外围区还设置有控制器和预设的像素电路，通过所述控制器控制所述预设的像素电路中的像素电阻通电，使与通电后的像素电阻对应的像素区域显色，以在所述记录层上形成具有特定形状的标识。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述封装面形成记录层，包括：将显色剂和染料剂混合制成记录层，并将所述记录层涂布在所述封装面上。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述封装面上形成记录层后，包括：在所述记录层上形成保护层，所述保护层包括用于防止所述记录层上的标识发生衰退的抗氧化剂。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

所述外围区上还设置有译码器，通过所述译码器对所述控制器传输的编程命令进行译码，控制所述像素电阻的通电。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

所述像素电路还包括多个第一晶体管，将所述第一晶体管的源极连接于电源电压线，将所述第一晶体管的栅极连接于所述译码器的输出引脚上。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

所述像素电路还包括多个第二晶体管，将所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极连接，将所述第二晶体管的栅极与所述译码器的输出端引脚连接，将所述第二晶体管的漏极与所述像素电阻连接。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：