[发明专利]一种驱动电路及车辆在审
申请号: | 202210203388.X | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN114629415A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 邓念;刘瑾 | 申请(专利权)人: | 中汽创智科技有限公司 |
主分类号: | H02P25/16 | 分类号: | H02P25/16;H02P27/00;H02P27/06;B62D5/04 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊程刚 |
地址: | 211100 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 电路 车辆 | ||
本申请提出了一种驱动电路及车辆。驱动电路包括:电源模块,用于生成第一电压;电压变换模块,电压变换模块与电源模块连接,电压变换模块被配置为对第一电压进行升压处理并得到第二电压,对第二电压进行降压处理并得到目标电压;驱动模块,驱动模块与电压变换模块连接,驱动模块与逆变桥电路连接,驱动模块被配置为在目标电压的驱动下,对逆变桥电路进行驱动。本申请在电源模块和驱动模块之间增设电压变换模块,可以对第一电压先后进行升压处理和降压处理,得到稳定的目标电压。电压变换模块可以给驱动模块供电,保证驱动模块稳定运行,保证驱动模块生成稳定的信号并输出至逆变桥电路,确保助力电机稳定运行,提高车辆转向系统的转向稳定性。
技术领域
本发明涉及电机领域,具体涉及一种驱动电路及车辆。
背景技术
随着技术水平的发展,当前车辆的转向系统多采用电动助力转向方案,通过电子驱动单元(Electronic Control Unit,ECU)驱动电机运行,实现转向操作。其中最核心的部件是由半导体场效应晶体管MOSFET构成的逆变桥及逆变桥的驱动电路。驱动电路性能的好坏对逆变桥电路的运行效果有着直接的影响。
现有技术中,驱动电路的抗干扰性能差,导致逆变桥的MOSFET工作时容易由于电压尖峰干扰而误开通,增加逆变桥损耗,严重时会造成MOSFET损坏。
发明内容
本申请提出了一种驱动电路及车辆,至少可以解决现有技术中驱动电路的抗干扰性能差的技术问题。
根据本申请的一方面,提供了一种驱动电路,包括:
电源模块,用于生成第一电压;
电压变换模块,所述电压变换模块与所述电源模块连接,所述电压变换模块被配置为对所述第一电压进行升压处理并得到第二电压,对所述第二电压进行降压处理并得到目标电压;
驱动模块,所述驱动模块与所述电压变换模块连接,所述驱动模块与逆变桥电路连接,所述驱动模块被配置为在所述目标电压的驱动下,对所述逆变桥电路进行驱动。
在一种可能的实现方式中,所述驱动模块包括驱动芯片、上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元;
所述驱动芯片、所述上桥臂驱动单元、所述下桥臂驱动单元均与所述电压变换模块和所述逆变桥电路连接,所述驱动芯片被配置为对所述逆变桥电路进行驱动,以及控制所述上桥臂驱动单元的输出信号和所述下桥臂驱动单元的输出信号;
所述上桥臂驱动单元与所述逆变桥电路的上桥臂电路连接,所述上桥臂驱动单元被配置为对所述逆变桥电路进行驱动;
所述下桥臂驱动单元与所述逆变桥电路的下桥臂电路连接,所述下桥臂驱动单元被配置为对所述逆变桥电路进行驱动。
在一种可能的实现方式中,所述上桥臂驱动单元包括第一电容、第二电容、第一电阻、第一二极管和第二二极管,所述电压变换模块分别与所述第一电阻的第一端和所述第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阴极与所述驱动芯片连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端和所述第二二极管的阴极连接,所述第一电容的第二端和所述第二二极管的阳极均与所述驱动芯片连接,所述第二电容的两端分别与所述第一二极管的阴极和所述第一电容的第一端连接。
在一种可能的实现方式中,所述下桥臂驱动单元包括第二电阻、第三电容、第四电容和第三二极管,所述第二电阻的第一端与所述电压变换模块连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第三电容的第一端和所述第三二极管的阴极连接,所述第三电容的第二端和所述第三二极管的阳极均与所述驱动芯片连接,所述第三电容的第二端和所述第三二极管的阳极均接地,所述第四电容的第一端与所述驱动芯片连接,所述第四电容的第二端与所述第三电容的第一端连接。
在一种可能的实现方式中,所述电压变换模块包括:
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