[发明专利]基于3D打印工艺的植球方法、装置、电子设备及存储介质在审
申请号: | 202210204703.0 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN114446838A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 童林聪;陈琛;徐天凌 | 申请(专利权)人: | 芯体素(杭州)科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G06F30/398;G06F113/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 周治宇 |
地址: | 310051 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 打印 工艺 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
本发明提供一种基于3D打印工艺的植球方法、装置、电子设备及存储介质,包括:获取植球参数和植球材料型号;基于所述植球参数和植球材料型号,仿真获得模拟打印路径;基于所述模拟打印路径和打印针头距基板加工点位的高度数据,拟合获得所述基板的实际打印路径;基于所述实际打印路径,在所述基板上执行打印;基于所述实际打印路径,在完成打印后执行烧结,在所述基板上形成按照所述植球参数设置的球状焊点。用以解决现有技术中BGA封装时成本高、植球直径大、植球质量不易保证、不适于多品种、小批量的BGA器件的植球需求等缺陷,实现免焊料球使用的高密度、高可靠性、高效、高兼容性以及高性价比的球状焊点的精准打印。
技术领域
本发明涉及基板植球技术领域,尤其涉及一种基于3D打印工艺的植球方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
大数据、人工智能的发展带动了集成电路的发展,而封装技术也日新月异。电子封装技术是集成电路产业的三大核心之一,其中,得益于体积小、存储空间大、在相同内存下,体积仅是其他封装产品的三分之一等优势,BGA(Ball Grid Array球栅阵列封装器件)封装已经成为了CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/0引脚封装的最佳选择,同时,还具有更高电性能的优势,因为BGA封装内存的引脚本是由芯片中心向外引出,可以有效的缩短信号传导路径,减少了信号损失,而且芯片的抗干扰、抗噪声性能也更好。
目前,在电子组装过程中BGA器件植球一般采用BGA植球器,该类工具一般由焊球漏板和夹具组成,焊球漏板通常采用不锈钢板激光开孔制作,开孔位置根据BGA器件焊球位置确定;夹具用于在植球过程中固定BGA器件及漏板。植球前先在BGA底面印刷焊膏或涂覆助焊剂,并放置于夹具上装上漏板;操作时将焊球均匀撒于漏板上焊球会滚动至漏板孔内,其余的焊球则可以滑动到漏板边缘,此时取下漏板则焊球留在BGA器件上;最后整体加热BGA器件及焊球,焊球即可熔化焊接于BGA器件上,完成植球操作。此种方法价格低廉但对操作者的技术要求高,易使焊料球滚动,偏移原位,从而产生短路的风险,且针对不同BGA植球需要根据器件尺寸定制专用工装,无法满足一般的电子组装厂多品种、小批量的BGA器件的植球需求。而专用的BGA自动化植球设备虽然提高了植球的效率和成功率、也在一定程度上降低了植球的成本,但是该类设备价格昂贵,且仍需根据器件尺寸定制专用模具,所以也无法满足一般的电子组装厂多品种、小批量的BGA器件植球需求。
同时,BGA器件造价高,舍弃不用浪费很大,但BGA器件返修时,焊球会被破坏,因此复用器件前需进行重新植球,且BGA封装方式由于其体积小,所以对于焊点的要求非常高,一旦焊点出现空焊,虚焊等问题,直接就会造成BGA封装失败,所以在目前的BGA封装工艺中还需要用到返修台设备。
另外,需要采用BGA专用焊料球,制备工艺复杂,成本昂贵,且成品率较低,且因焊料球生产工艺的限制,使得现有的BGA封装很难实现直径200μm以下的植球作业。
发明内容
本发明提供一种基于3D打印工艺的植球方法、装置、电子设备及存储介质,用以解决现有技术中BGA封装时成本高、植球直径大、植球质量不易保证、不适于多品种、小批量的BGA器件的植球需求等缺陷,实现免焊料球使用的高密度、高可靠性、高效、高兼容性以及高性价比的球状焊点的精准打印。
本发明提供一种基于3D打印工艺的植球方法,包括:
获取植球参数和植球材料型号;
基于所述植球参数和植球材料型号,仿真获得模拟打印路径;
基于所述模拟打印路径和打印针头距基板加工点位的高度数据,拟合获得所述基板的实际打印路径;
基于所述实际打印路径,在所述基板上执行打印;
基于所述实际打印路径,在完成打印后执行烧结,在所述基板上形成按照所述植球参数设置的球状焊点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造