[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202210204713.4 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN114582891A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 吴伟 | 申请(专利权)人: | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
晶体管层,所述晶体管层设置于所述衬底上,所述晶体管层远离所述衬底的一面上设置有诱导结晶部;以及
像素电极,所述像素电极设置于所述晶体管层上,且位于所述诱导结晶部上,所述像素电极为结晶的像素电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述诱导结晶部包括第一诱导结晶部和第二诱导结晶部,所述晶体管层包括晶体管和设置于所述晶体管上的钝化层;
所述晶体管包括第一电极,所述第一电极远离所述衬底的一面设置有所述第一诱导结晶部;
所述钝化层包括通孔,所述通孔贯穿所述钝化层以暴露所述第一诱导结晶部,所述钝化层远离所述衬底的一面设置有所述第二诱导结晶部,且所述第二诱导结晶部围绕所述通孔设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一诱导结晶部为第一粗糙表面,所述第二诱导结晶部为第二粗糙表面。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一粗糙表面和所述第二粗糙表面的粗糙度均大于等于10纳米。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一粗糙表面的粗糙度大于所述第二粗糙表面的粗糙度。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述钝化层远离所述衬底的一面具有多个间隔设置的所述第二诱导结晶部。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上设置晶体管层材料,对所述晶体管层材料进行图案化处理形成晶体管层,所述晶体管层远离所述衬底的一面设置有诱导结晶部;以及
在所述晶体管层上形成像素电极,且所述像素电极位于所述诱导结晶部上,所述像素电极为结晶的像素电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,晶体管层包括晶体管和设置于所述晶体管的钝化层,所述晶体管包括第一电极,在所述衬底上设置晶体管层材料,对所述晶体管层材料进行图案化处理形成晶体管层,所述晶体管层远离所述衬底的一面设置有诱导结晶部的步骤中,包括:
在所述衬底上形成晶体管的导电层;
在所述晶体管上设置钝化层材料,并进行图形化处理,所述钝化层材料形成钝化层,所述导电层形成第一电极;
其中,所述第一电极远离所述衬底的一面形成第一诱导结晶部,所述钝化层包括通孔,所述通孔贯穿所述钝化层以暴露所述第一诱导结晶部,所述钝化层远离所述衬底的表面形成第二诱导结晶部。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述晶体管层包括非结晶区和设置于所述非结晶区两侧的结晶区,所述导电层位于所述结晶区,在所述晶体管上设置钝化层材料,并进行图形化处理,所述钝化层材料形成钝化层,所述导电层形成第一电极的步骤中,包括:
在所述晶体管层上设置钝化层材料;
提供一光阻层,所述光阻层设置于所述钝化层材料上,并位于所述非结晶区;
对所述钝化层材料进行第一图案化处理,形成具有通孔的钝化中间层,所述通孔贯穿所述钝化中间层以暴露所述导电层;
对所述钝化中间层进行第二图案化处理,所述导电层形成第一电极,所述第一电极远离所述衬底的一面形成第一诱导结晶部,所述钝化中间层形成钝化层,所述钝化层远离所述衬底的一面形成第二诱导结晶部,所述第二诱导结晶部围绕所述通孔设置,所述第一诱导结晶部和所述第二诱导结晶部位于所述结晶区;
去除所述光阻层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述钝化层上设置像素电极,所述像素电极设置于所述第二诱导结晶部,并延伸入所述通孔中与所述第一诱导结晶部接触的步骤中,包括:
在所述钝化层上设置像素电极材料,采用湿蚀刻方式处理所述像素电极材料,所述像素电极材料形成像素电极,所述像素电极位于所述第二诱导结晶部,并延伸入所述通孔与所述第一诱导结晶部接触。
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