[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

第一源极指，设置于所述基板上；

第一栅极指，在所述第一源极指的宽度方向上相邻地沿着所述第一源极指而设置于所述基板上；

第一漏极指，设置于所述基板上，与所述第一源极指隔着所述第一栅极指；

第二源极指，设置于从所述第一源极指起位于所述第一源极指延伸的延伸方向的所述基板的区域上，在所述延伸方向上延伸；

第二栅极指，在所述第二源极指的所述宽度方向上相邻地沿着所述第二源极指而设置于从所述第一栅极指起位于所述延伸方向的所述基板的区域上；

第二漏极指，设置于所述基板上，与所述第二源极指隔着所述第二栅极指；及

第一栅极布线，设置于所述基板上，与所述第一栅极指的第一端连接，不与所述第二栅极指连接，并且在所述宽度方向上延伸，

所述第一栅极指与所述第一栅极布线连接的第一部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度比位于所述第一源极指与所述第二源极指之间的第二部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度小，

所述延伸方向上的所述第一部位的所述第二栅极指侧端位于比所述延伸方向上的所述第二部位的所述第二栅极指侧端靠所述第一栅极指侧处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

从所述宽度方向观察，所述第二栅极指的一部分和所述第一栅极布线的一部分重叠。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第一栅极布线随着从所述第一部位去往所述第二部位而所述延伸方向的宽度逐渐变大。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，具备：

栅极母线，设置于所述基板上，与所述第二栅极指连接；及

第二栅极布线，连接所述第一栅极布线和所述栅极母线，在所述延伸方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

所述第二栅极布线和所述第二栅极指隔着所述第二源极指。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

所述第二源极指的宽度比所述第一源极指的宽度小，

所述第二栅极布线的所述宽度方向的宽度处于所述第一源极指的宽度内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

具备贯通所述基板且将所述第一源极指和设置于所述基板下的金属层连接的过孔。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，

具备连接所述第一源极指和所述第二源极指且与所述第一栅极布线非接触地交叉的源极布线。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，

所述基板具备所述基板内的半导体层被活性化且互相分离的第一活性区域及第二活性区域和设置于所述第一活性区域与所述第二活性区域之间且所述半导体层被不活性化的不活性区域，

所述第一源极指、所述第一栅极指及所述第一漏极指设置于所述第一活性区域上，

所述第二源极指、所述第二栅极指及第二漏极指设置于所述第二活性区域上，

所述第一栅极布线设置于所述不活性区域上。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，具备：

第三栅极指，在所述第一源极指的宽度方向上相邻地沿着所述第一源极指而设置于所述基板上，与所述第一栅极指隔着所述第一源极指；

第三漏极指，设置于所述基板上，与所述第一源极指隔着所述第三栅极指；

第三源极指，设置于所述基板上，具有比所述第一源极指的宽度小的宽度，所述宽度方向的宽度处于所述第一源极指的宽度内，相对于所述第一源极指而设置于与所述第二源极指相同的一侧，在所述延伸方向上延伸；

第四栅极指，在所述第三源极指的所述宽度方向上相邻地沿着所述第三源极指而设置于从所述第三栅极指起位于所述延伸方向的所述基板的区域上；

第四漏极指，设置于所述基板上，与所述第三源极指隔着所述第四栅极指；及

第三栅极布线，设置于所述基板上，与所述第三栅极指的第一端连接，不与所述第四栅极指连接，并且在所述宽度方向上延伸，

所述第三栅极指与所述第三栅极布线连接的第三部位处的所述第三栅极布线在所述延伸方向上的宽度比位于所述第一源极指与所述第三源极指之间的第四部位处的所述第三栅极布线在所述延伸方向上的宽度小，

所述延伸方向上的所述第三部位的所述第四栅极指侧端位于比所述延伸方向上的所述第四部位的所述第四栅极指侧端靠所述第三栅极指侧处。