[发明专利]半导体装置

说明书

提供可小型化的半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于基板上；第一栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第一源极指而设置于基板上；第一漏极指，与第一源极指隔着第一栅极指；第二源极指，相对于第一源极指设置于延伸方向的基板上，在延伸方向上延伸；第二栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第二源极指而设置于从第一栅极指起位于延伸方向的基板的区域上；第二漏极指，与第二源极指隔着第二栅极指；第一栅极布线，与第一栅极指的第一端连接不与第二栅极指连接，在宽度方向上延伸，第一部位处的第一栅极布线在延伸方向的宽度比第二部位处的宽度小，第一部位的第二栅极指侧端位于比第二部位的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。

技术领域

本公开涉及半导体装置，例如涉及具有场效晶体管的半导体装置。

背景技术

已知在具有源极、栅极及漏极的场效晶体管(FET：Field Effect Transistor)中将具有源极指、栅极指及漏极指的单位FET在指的延伸方向上配置多个的技术(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-299351号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1中，通过将单位FET在指的延伸方向上配置多个，能够缩短单位FET中的栅极指。但是，若将在延伸方向上相邻的单位FET的栅极指与相同的栅极布线连接，则有时高频特性劣化。在将相邻的单位FET的一方的栅极指与栅极布线连接且不将另一方的栅极指与栅极布线连接的情况下，无法缩小相邻的单位FET的间隔。因而，半导体装置会大型化。

本公开鉴于上述课题，目的在于提供能够实现小型化的半导体装置。

用于解决课题的手段

本公开的一实施方式是一种半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于所述基板上；第一栅极指，在所述第一源极指的宽度方向上相邻地沿着所述第一源极指而设置于所述基板上；第一漏极指，设置于所述基板上，与所述第一源极指隔着所述第一栅极指；第二源极指，设置于从所述第一源极指起位于所述第一源极指延伸的延伸方向的所述基板的区域上，在所述延伸方向上延伸；第二栅极指，在所述第二源极指的所述宽度方向上相邻地沿着所述第二源极指而设置于从所述第一栅极指起位于所述延伸方向的所述基板的区域上；第二漏极指，设置于所述基板上，与所述第二源极指隔着所述第二栅极指；及第一栅极布线，设置于所述基板上，与所述第一栅极指的第一端连接，不与所述第二栅极指连接，并且在所述宽度方向上延伸，所述第一栅极指与所述第一栅极布线连接的第一部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度比位于所述第一源极指与所述第二源极指之间的第二部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度小，所述延伸方向上的所述第一部位的所述第二栅极指侧端位于比所述延伸方向上的所述第二部位的所述第二栅极指侧端靠所述第一栅极指侧处。

发明效果

根据本公开，能够提供能够实现小型化的半导体装置。

附图说明

图1是实施例1的半导体装置的俯视图。

图2是图1的A-A剖视图。

图3是图1的B-B剖视图。

图4是图1的C-C剖视图。

图5是图1的D-D剖视图。

图6是示出实施例1的半导体装置中的活性区域、欧姆金属层及栅极金属层的俯视图。

图7是实施例1的半导体装置的俯视放大图。

图8是比较例1的半导体装置的俯视放大图。

图9是实施例1的变形例1的半导体装置的俯视放大图。

图10是实施例1的变形例2的半导体装置的俯视放大图。

图11是示出实施例2的半导体装置中的活性区域、欧姆金属层及栅极金属层的俯视图。

具体实施方式