[发明专利]一种高性能四运放集成电路的制备方法在审
申请号: | 202210205693.2 | 申请日: | 2022-03-04 |
公开(公告)号: | CN114664733A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 王永怀;王科伟;秦鹏;陈伟;邢先锋 | 申请(专利权)人: | 西安锐晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 | 代理人: | 王娇娇 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 四运放 集成电路 制备 方法 | ||
1.一种高性能四运放集成电路的制备方法,其特征在于:集成电路LM124是在原集成芯片的基础上,采用以下工艺步骤,使产品的质量得以增强,可靠性得以提高,不同于普通集成运放,它是在第一次集成后并不直接封装完成产品,而是再通过一系列增加的工艺步骤,提高产品的质量,增强产品的可靠性之后,再完成生产后生成成品,具体的包括以下工艺步骤:
步骤一:芯片晶圆采用筛选:不仅进行参数性能测试筛选,还进行功能、环境筛选和动态运行筛选,剔除早期失效芯片晶圆;
步骤二:采用厚膜技术工艺进行封装,按照不同规格、要求进行封装;
步骤三:采用老练工艺,对其性能和质量进一步提高,再次进行早期失效淘汰,对集成电路LM124,进行工艺老练,使其性能更加稳定、可靠;
步骤四:采用环境筛选工艺,继续对集成电路LM124进行质量筛选,具体采用高温贮存、高温工作、低温贮存、低温工作、温度冲击和温度循环等多种工艺,增强其可靠性。
2.根据权利要求1所述的一种高性能四运放集成电路的制备方法,其特征在于:步骤二中采用塑封、陶瓷封装和金属封装中的任意一种封装方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造