[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

积层体，包含多个上层导电层及设置在所述多个上层导电层的下层侧的多个下层导电层的多个导电层在第1方向彼此相隔积层，具有阶梯状的端部，且所述多个上层导电层作为与NAND串相对的选择栅极线发挥功能，所述多个下层导电层作为与NAND串相对的字线发挥功能；

多个柱状构造，分别包含在所述积层体内在所述第1方向延伸的半导体层；及

第1接点，与包含在所述多个上层导电层且连续积层的2个以上的第1上层导电层连接，跨越所述2个以上的第1上层导电层的上表面而设置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述积层体的阶梯状的端部由多个立起部及从所述多个立起部的上端相对于与所述第1方向垂直的平面大致平行地延伸的多个平台部规定。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察，所述第1接点具有长轴横穿1个以上的所述立起部的平面形状。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中与所述2个以上的第1上层导电层相对的2个以上的立起部中相邻的立起部间的距离，小于与所述多个下层导电层相对的多个立起部中相邻的立起部间的距离。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述多个平台部排列在第2方向，所述第1接点跨越3个以上的所述第1上层导电层的上表面而设置，

设置在所述3个以上的第1上层导电层中最上层的第1上层导电层与所述3个以上的第1上层导电层中最下层的第1上层导电层之间的中间的第1上层导电层的所述平台部的所述第2方向的宽度，小于所述最上层的第1上层导电层的所述平台部的所述第2方向的宽度，小于所述最下层的第1上层导电层的所述平台部的所述第2方向的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察，所述第1接点的形状为椭圆状、卵状或长方形状。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进而具备：第2接点，与包含在所述多个上层导电层且位于所述2个以上的第1上层导电层的上层侧且连续积层的2个以上的第2上层导电层连接，且跨越所述2个以上的第2上层导电层的上表面而设置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述积层体的阶梯状的端部由多个立起部及从所述多个立起部的上端相对于与所述第1方向垂直的平面大致平行地延伸的多个平台部规定，

从所述第1方向观察，所述第2接点具有长轴横穿1个以上的所述立起部的平面形状。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述积层体的阶梯状的端部由多个立起部及从所述多个立起部的上端相对于与所述第1方向垂直的平面大致平行地延伸的多个平台部规定，

与所述2个以上的第2上层导电层相对的2个以上的立起部中相邻的立起部间的距离，小于与所述多个下层导电层相对的多个立起部中相邻的立起部间的距离。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察，所述第2接点的形状为椭圆状、卵状或长方形状。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中在抹除数据时，对所述2个以上的第2上层导电层，施加比施加于所述2个以上的第1上层导电层的电压更高的电压。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其进而具备：第2接点，与包含在所述多个上层导电层且位于所述2个以上的第1上层导电层的上层侧的1个第2上层导电层连接。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察，所述第2接点的形状为大致圆状。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其进而具备：多个第3接点，相对于所述多个下层导电层的每一个个别地连接。