[发明专利]金属部件在审
| 申请号： | 202210208191.5 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN115036284A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 古贺健斗;宫内义仁;渡边和则;久保公彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社三井高科技 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 王国志;马雯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 部件 | ||
1.一种用于制造半导体装置的金属部件，所述金属部件包括：
基材，该基材具有导电性；
镍层，该镍层形成在所述基材的表面上，并且包含镍作为主要成分；以及
贵金属层，该贵金属层形成在所述镍层的表面上，其中，
所述镍层包括不含磷的第一镍层以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二镍层。
2.根据权利要求1所述的金属部件，其中，所述第二镍层包含0.01至0.5的重量百分比的磷。
3.根据权利要求1或2所述的金属部件，其中，所述第一镍层的表面具有粗糙的表面。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的金属部件，其中，所述第一镍层形成在所述基材的表面上，并且所述第二镍层形成在所述第一镍层的表面上。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的金属部件，其中，所述第二镍层形成在所述基材的表面上，并且所述第一镍层形成在所述第二镍层的表面上。
6.根据权利要求5所述的金属部件，其中，所述第二镍层之外的另一个第二镍层形成在所述第一镍层的表面上。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的金属部件，其中，所述第二镍层具有0.1μm以上的厚度。
8.根据权利要求1至7的任一项所述的金属部件，其中，所述第二镍层在所述镍层中的厚度的比例为50％以下。
9.根据权利要求1至8的任一项所述的金属部件，其中，所述贵金属层以至少一层形成，并且所述贵金属层由钯、金和银中的至少一种形成。
10.一种用于制造半导体装置的金属部件，所述金属部件包括：
基材，该基材具有导电性；
镍层，该镍层形成在所述基材的表面上，并且包含镍作为主要成分；以及
贵金属层，该贵金属层形成在所述镍层的表面上，其中，
所述镍层包括不含磷的第一镍层和包含磷并且具有柱状晶体结构的第二镍层。
11.根据权利要求10所述的金属部件，其中，所述第一镍层的表面具有粗糙的表面。
12.根据权利要求10或11所述的金属部件，其中，所述第一镍层形成在所述基材的表面上，并且所述第二镍层形成在所述第一镍层的表面上。
13.根据权利要求10或11所述的金属部件，其中，所述第二镍层形成在所述基材的表面上，并且所述第一镍层形成在所述第二镍层的表面上。
14.根据权利要求13所述的金属部件，其中，所述第二镍层之外的另一个第二镍层形成在所述第一镍层的表面上。
15.根据权利要求10至14的任一项所述的金属部件，其中，所述第二镍层具有0.1μm以上的厚度。
16.根据权利要求10至15的任一项所述的金属部件，其中，所述第二镍层在所述镍层中的厚度的比例为50％以下。
17.根据权利要求10至16的任一项所述的金属部件，其中，所述贵金属层以至少一层形成，并且所述贵金属层由钯、金和银中的至少一种形成。
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