[发明专利]金属部件

说明书

提供一种用于制造半导体装置的金属部件，包括：具有导电性的基材；镍层，其形成在基材的表面上并且包含镍作为主要成分；以及形成在镍层的表面上的贵金属层。镍层包括不含磷的第一镍层以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二镍层。根据本公开的金属部件，在能够保持良好特性的同时能够减小镍层的厚度。

技术领域

本文公开的实施例涉及一种金属部件。

背景技术

在现有技术中，已经已知一种技术，该技术在诸如用于制造半导体装置的引线框架这样的金属部件中的金属基材的表面上形成镍镀层。

此外，作为其示例，已经已知一种称为预镀引线框架(Pd-PPF)的技术，其中，在引线框架的金属基材的表面依次形成镀镍层、镀钯层和镀金层(参见专利文献JPH04-115558A)。

然而，这些镍层具有比较大的膜厚，这增加了制造成本。

发明内容

实施例的方面提供一种用于制造半导体装置的金属部件，其中，在能够保持良好特性的同时能够减小镍层的厚度。

根据实施例的一个方面，用于制造半导体装置的金属部件包括：具有导电性的基材；镍层，该镍层形成在所述基材的表面上并且包含镍作为主要成分；以及形成在所述镍层的表面上的贵金属层。镍层包括不含磷的第一镍层以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二镍层。

根据实施例的一个方面，在用于制造半导体装置的金属部件中，在能够保持良好特性的同时能够减小镍层的厚度。

附图说明

图1是根据实施例的引线框架的示意图。

图2是示出根据实施例的半导体装置的截面图。

图3A至图3C是示出根据实施例和实施例的修改例1和2的引线框架的放大截面图。

图4A至图4C是示出根据实施例的修改例3至5的引线框架的放大截面图。

图5是示出根据实例4的引线框架的截面形态的SEM照片的视图。

图6是示出根据实例8的引线框架的截面形态的SEM照片的视图。

图7是示出根据比较例4的引线框架的截面形态的SEM照片的视图。

图8是示出根据比较例8的引线框架的截面形态的SEM照片的视图。

图9示出了实例49至53以及比较例15和16的第一镍层和第二镍层的膜厚、实现1秒以下的过零时间的钯层的最小膜厚、树脂粘附性的评价以及引线框架的表面形态和截面形态的SEM照片。

图10示出了实例54至58以及比较例15和16的第一镍层和第二镍层的膜厚、实现1秒以下的过零时间的钯层的最小膜厚、树脂粘附性的评价、引线框架的表面形态和截面形态的SEM照片。

具体实施方式

下文，将参考附图描述引线框架作为本申请中公开的用于制造半导体装置的金属部件的示例。本公开不限于下文描述的实施例。此外，应当注意附图是示意的，并且因此各个部件的尺寸关系、各个部件的比率等可能不同于实际的情况。此外，附图可能包括具有互不相同的尺寸关系和比率的部分。

在现有技术中，已经已知一种称为Pd-PPF的技术，其中，在用于制造半导体装置的引线框架中，在金属基材的表面上依次形成镀镍层、镀钯层和镀金层。

由于该Pd-PPF能够实现焊料的润湿性以及结合导线的结合特性两者，所以使用这样的Pd-PPF使得能够通过简单的处理制造半导体装置。

然而，在现有技术中，当仅减小镍镀层的厚度时，基材中包含的铜可能扩散至Pd-PPF的表面，并且因此焊料的润湿性等可能劣化。另一方面，当镍镀层的厚度增大时，用于形成镍镀层的单件工时变长，并且因此制造成本可能升高。