[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

积层体，具有多个导电层与多个绝缘层以1层为单位交替地积层而成的积层构造，包含在与所述多个导电层的积层方向交叉的第1方向上排列的存储器区域及虚设区域，所述虚设区域包含第1阶梯部，该第1阶梯部是在所述第1方向上与所述存储器区域为相反侧的端部将所述多个导电层的至少上层侧的一部分加工成阶梯状而终止；

多个第1支柱，在所述存储器区域中的所述积层体内沿所述积层方向延伸，且在与所述多个导电层的至少一部分的交叉部分别形成存储单元；以及

第1及第2板状部，在与所述积层方向及所述第1方向交叉的第2方向上离开的所述存储器区域内的位置，在所述积层体内沿所述积层方向及所述第1方向延伸，且在所述虚设区域内相互直接或间接地连接而终止，分别将除了所述虚设区域的所述端部的至少一部分以外的所述积层体在所述第2方向上分割。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备第3板状部，该第3板状部在所述虚设区域内沿所述积层方向及所述第2方向延伸，将所述第1及第2板状部间接地连接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1及第2板状部

通过分别在所述虚设区域内的位置以相互接近的方式相对于所述第1方向倾斜地延伸而直接连接。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1板状部具有：

第1部分，在所述存储器区域内的位置沿所述第1方向延伸；以及

第2部分，与所述第1部分连接，且在所述虚设区域内的位置相对于所述第1方向朝向所述第2板状部侧倾斜地延伸；

所述第2板状部具有：

第3部分，在所述存储器区域内的位置沿所述第1方向延伸；以及

第4部分，与所述第3部分连接，且在所述虚设区域内的位置相对于所述第1方向朝向所述第1板状部侧倾斜地延伸；

所述第1部分与所述第2部分所成的角度、及所述第3部分与所述第4部分所成的角度为钝角。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述第2及第4部分在跟分别与所述第1及第3部分连接的一侧为相反侧的端部相互连接。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其

还具备第3板状部，该第3板状部在所述虚设区域中的所述积层体内沿所述积层方向及所述第2方向延伸，将所述第2及第4部分连接，

所述第3板状部与所述第2部分所成的角度、及所述第3板状部与所述第4部分所成的角度为钝角。

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其

还具备多个第2支柱，该多个第2支柱在所述虚设区域相互分散地配置，且在所述积层体内沿所述积层方向延伸，

所述第2部分

沿着所述多个第2支柱中与所述第2部分相邻的多个第2支柱的排列方向延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备多个第2支柱，该多个第2支柱在所述虚设区域相互分散地配置，且在所述积层体内沿所述积层方向延伸，

所述多个第1支柱分别具有：

半导体层，在所述积层体内沿所述积层方向延伸；以及

存储器层，包围所述半导体层的外周；

所述多个第2支柱分别

具有与所述多个第1支柱的各者相同的层构造。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1及第2板状部在所述第1方向上，在比所述第1阶梯部更接近所述存储器区域的位置相互连接。