[发明专利]一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线在审
申请号: | 202210209729.4 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN114639951A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 向东红 | 申请(专利权)人: | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q5/20;H01Q5/50;H01Q1/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增益 隔离 双频 极化 全向天线 | ||
1.一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于,包括第一天线基板、第一天线辐射组件、第二天线辐射组件、第二天线基板、第一天线馈电组件和第二天线馈电组件;所述第一天线辐射组件分布在所述第一天线基板的上表面,所述第二天线辐射组件分布在所述第一天线基板的下表面,所述第一天线基板、第一天线辐射组件和所述第二天线辐射组件共同构成天线的双频双极化辐射部分;所述第一天线馈电组件分布在所述第二天线基板的前表面,所述第二天线馈电组件分布在所述第二天线基板的后表面,所述第二天线基板、第一天线馈电组件和所述第二天线馈电组件共同构成天线的低增益馈电部分;所述第一天线基板和所述第二天线基板垂直交叉设置。
2.根据权利要求1所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第一天线辐射组件和所述第二天线辐射组件均包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元和第五辐射单元;所述第一辐射单元呈现为大的叶型轮廓,区域内覆铜;所述第二辐射单元呈现为所述第一辐射单元上的凸型轮廓凹槽,区域内不覆铜;所述第三辐射单元与所述第一辐射单元连接,而上表面是相隔开的,呈现为矩形轮廓,区域内覆铜;所述第四辐射单元呈现为小的叶型轮廓,区域内覆铜;所述第五辐射单元呈现为所述第四辐射单元上的凸型轮廓凹槽,区域内不覆铜。
3.根据权利要求2所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第一天线基板中的中心区域设有两个细小的第一金属化通孔,位于所述第一天线基板上下表面的两个所述第一辐射单元通过所述第一金属化通孔连接。
4.根据权利要求2所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第一天线馈电组件包括两组对称设置的第一接地区域、第一分馈电单元、第二分馈电单元和主馈电单元;所述主馈电单元分别与所述第一分馈电单元和所述第二分馈电单元连接;两个所述第一分馈电单元分别与所述第一天线辐射组件的第三辐射单元和第四辐射单元连接,所述第二分馈电单元与所述第一接地区域连接。
5.根据权利要求4所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第二天线馈电组件包括对称设置的两个第二接地区域,作为双极化天线的两路接地;所述第二接地区域呈现为大的矩形轮廓,区域内覆铜。
6.根据权利要求5所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第二天线基板的侧边区域设有若干第二金属化通孔;所述第一接地区域和所述第二接地区域通过所述第二金属化通孔连接。
7.根据权利要求5所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:两个所述第二接地区域上各设有一个第二基材焊接接地区域,所述第一辐射单元和所述第四辐射单元上各设有一个第一基材焊接接地区域;两个所述第一基材焊接接地区域分别与两个所述第二基材焊接接地区域连接。
8.根据权利要求4所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:两个所述第一分馈电单元上各设有一个第二基材焊接馈电区域,所述第三辐射单元和所述第四辐射单元上各设一个第一基材焊接馈电区域;两个所述第一基材焊接馈电区域分别与两个所述第二基材焊接馈电区域连接。
9.根据权利要求4所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:所述第一接地区域呈现为大的L型轮廓,所述第一分馈电单元呈现为大的矩形轮廓,所述第二分馈电单元呈现为小的矩形轮廓,所述主馈电单元呈现为小的矩形轮廓,所述第一接地区域、第一分馈电单元、第二分馈电单元和所述主馈电单元,区域内均覆铜。
10.根据权利要求2所述的一种低增益高隔离度的双频双极化全向天线,其特征在于:两个所述第一辐射单元空间垂直;所述第一天线辐射组件的第一辐射单元与所述第二天线辐射组件的第四辐射单元位于对角空间上,所述第二天线辐射组件的第一辐射单元与所述第一天线辐射组件的第四辐射单元位于对角空间上。
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