[发明专利]半导体装置及在半导体装置内供应电力的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一半导体晶粒，以一第一电力操作；

一第二半导体晶粒，在该第一半导体晶粒上的一堆叠中，且该第二半导体晶粒是以不同于该第一电力的一第二电力操作；以及

一电源管理半导体晶粒，在该堆叠中，且该电源管理半导体晶粒是透过一第一穿孔提供该第一电力给该第一半导体晶粒，并透过一第二穿孔提供该第二电力给该第二半导体晶粒。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含一系统整合晶片(system on integrated chips，SoIC)装置，且该电源管理半导体晶粒管理在SoIC装置中的电源，其中该第一穿孔包含连接该电源管理半导体晶粒至该第一半导体晶粒的一第一硅穿孔(through silicon via，TSV)，且该第二穿孔包含连接该电源管理半导体晶粒至该第二半导体晶粒的一第二硅穿孔(TSV)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电源管理半导体晶粒包含：

一电源管理功能区域；以及

一核心区域，具有小于该电源管理功能区域的一第一尺寸的一第二尺寸。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该电源管理功能区域包含一双极性-CMOS-DMOS(BCD)区域，该BCD区域包含一双极性部分、一互补金氧半导体(CMOS)部分及一双扩散金氧半导体(DMOS)部分。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该电源管理功能区域包含一高电压(HV)区域，该HV区域包含一栅极驱动部分、一源极驱动部分及一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电源管理半导体晶粒包含：

一输入/输出(I/O)区域；以及

一核心区域，具有小于该I/O区域的一第一尺寸的一第二尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电源管理半导体晶粒包含一GaN基装置及一SiC基装置的一者。

8.一种半导体装置，其特征在于，包含：

多个半导体装置，其中所述多个半导体装置的每一者包含：

一第一半导体晶粒，以一第一电力操作；

一第二半导体晶粒，在该第一半导体晶粒上的一堆叠中，且该第二半导体晶粒是以一第二电力操作；以及

一电源管理半导体晶粒，在该堆叠中，且该电源管理半导体晶粒透过一第一穿孔提供该第一电力给该第一半导体晶粒，并透过一第二穿孔提供该第二电力给该第二半导体晶粒；

一基础半导体晶粒，其中所述多个半导体装置安装在该基础半导体晶粒上，以使所述多个半导体装置的一侧面接合至该基础半导体晶粒的一上表面；以及

一连结电路，其中该连结电路用以电性连接该基础半导体晶粒至所述多个半导体装置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该第一穿孔包含连接该电源管理半导体晶粒至该第一半导体晶粒的一第一硅穿孔，且该第二穿孔包含连接该电源管理半导体晶粒至该第二半导体晶粒的一第二硅穿孔。

10.一种在一半导体装置内供应电力的方法，其特征在于，包含：

透过一第一穿孔从一电源管理半导体晶粒提供一第一电力给在该半导体晶粒堆叠中的一第一半导体晶粒，其中该电源管理半导体晶粒是在该半导体晶粒堆叠中；以及

透过一第二穿孔从该电源管理半导体晶粒提供一第二电力给在该半导体晶粒堆叠中的一第二半导体晶粒，其中该第二电力不同于该第一电力。