[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部；

环状挡板，其以包围所述基片支承部的方式配置，且具有多个开口；

第一环状板，其配置在所述环状挡板的下方；

第二环状板，其配置在所述第一环状板的下方，具有环状重叠部分，所述环状重叠部分与所述第一环状板的一部分在纵向上重叠；

压力检测器，其构成为能够检测所述等离子体处理腔室内的压力；和

至少1个致动器，其构成为能够基于检测出的所述压力来使所述第一环状板和所述第二环状板中的至少一者在纵向上移动，以变更所述第一环状板与所述第二环状板之间的距离。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个开口在俯视时被所述第一环状板和所述第二环状板中的至少一者遮蔽。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括控制部，其构成为能够控制所述至少1个致动器，以使得在检测出的所述压力比设定压力高的情况下使所述距离变长，在检测出的所述压力比所述设定压力低的情况下使所述距离变短。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一环状板固定于所述等离子体处理腔室的侧壁或所述基片支承部的侧壁，

所述至少1个致动器构成为能够使所述第二环状板移动。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一环状板与所述环状挡板之间的距离为40mm以上。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一环状板固定于所述等离子体处理腔室的侧壁，

所述第二环状板配置在所述基片支承部的侧壁或该基片支承部的侧壁的附近。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述第二环状板与所述基片支承部的侧壁之间形成有间隙。

8.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一环状板固定于所述基片支承部的侧壁，

所述第二环状板配置在所述等离子体处理腔室的侧壁或该等离子体处理腔室的侧壁的附近。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述第二环状板与所述等离子体处理腔室的侧壁之间形成有间隙。

10.如权利要求7或9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述间隙具有1.0mm以下的宽度。

11.如权利要求1至10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述至少1个致动器包括：构成为能够使所述第一环状板移动的第一致动器；和构成为能够使所述第二环状板移动的第二致动器。

12.如权利要求1至11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述环状重叠部分具有5～10mm的宽度。

13.如权利要求1至12中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一环状板具有第一宽度，

所述第二环状板具有比所述第一宽度大的第二宽度。