[发明专利]一种晶圆校正吸附装置

说明书

本发明公开一种晶圆校正吸附装置，包括基板、轴承件、吸附载台、真空发生装置和带传动机构，所述轴承件包括固定在基板上的内圈以及可转动的外圈，所述外圈与所述吸附载台固定连接，所述带传动机构驱动所述轴承件的外圈旋转，从而带动所述吸附载台旋转；所述吸附载台设有若干吸附孔，所述若干吸附孔连通所述真空发生装置，所述真空发生装置用于产生吸附气流而将产品固定在所述吸附载台上。本发明通过轴承件驱动吸附载台旋转，以调节固定在吸附载台上的晶圆的位置，使其与检测机构的位置相对应，提高产品在检测时的位置精度。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶圆校正吸附装置。

背景技术

晶圆测试是半导体芯片生产过程中的一个重要环节，晶圆测试环节能够对器件的电性参数进行特征评估，从而在封装之前鉴别出合格的芯片，以及生产人员能够根据器件的合格率的核算以评估生产工艺的质量水平。

在测试时，晶圆被吸附在载台上，但是晶圆的摆放位置与检测机构之间可能会存在一定的角度偏差，此时需要通过旋转载台以校正晶圆的位置，使晶圆上的检测区域与探针卡一一对应。现有技术一般在载台下方设置旋转轴，旋转驱动机构直接连接旋转轴以驱动载台旋转，在载台质量较大或直径较大的情况下，这种连接结构可能导致载台旋转时发生倾斜；以及，如何解决载台旋转时出现的间隙较大的问题，也是提高晶圆定位精度所必须克服的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的不足，本发明的目的在于：提供一种晶圆校正吸附装置，所述晶圆校正吸附装置通过轴承件实现吸附载台的转动，并设置限位机构以减小或消除轴承件内圈和外圈之间的径向间隙，从而提高晶圆的定位精度。

为实现上述全部或部分发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种晶圆校正吸附装置，包括基板、轴承件、吸附载台、真空发生装置和带传动机构，所述轴承件固定在基板上的内圈以及可转动的外圈，所述外圈与所述吸附载台固定连接；所述带传动机构驱动所述轴承件的外圈旋转，从而带动所述吸附载台旋转；所述吸附载台设有若干吸附孔，所述若干吸附孔连通所述真空发生装置，所述真空发生装置用于产生吸附气流而将产品固定在所述吸附载台上。该技术方案的有益效果在于，通过带传动机构驱动轴承件的外圈旋转，进而实现吸附载台的旋转，该种传动方式使载台在旋转过程中不会发生倾斜，使载台的转动更加平稳。需要说明的是，本发明中所述的产品可以为晶圆等半导体器件。

所述晶圆校正吸附装置还可以包括限位机构，所述限位机构包括固定端和限位端，所述固定端固定连接所述基板，所述限位端与所述吸附载台相抵并向所述吸附载台施加朝向旋转轴的作用力。该技术方案的有益效果在于，所述限位机构用于消除或减轻轴承件的内圈和外圈之间的径向间隙，以保证轴承件外圈旋转时不发生位置偏移，从而提高对吸附载台上产品的定位精度；所述限位机构适用于内外圈之间具有径向间隙的轴承件，例如回转轴承等。

所述固定端为连接块，所述限位端为滚轮，所述连接块的一端连接滚轮，另一端固定安装在所述基板上；所述吸附载台的周面开设有一圈限位槽，所述滚轮与所述限位槽相抵。该技术方案的有益效果在于，所述滚轮受到吸附载台对其的作用力而自转，因此滚轮与限位槽之间不易产生严重的磨损，有利于延长器件的使用寿命。

所述限位槽为V型限位槽，所述滚轮与所述V型限位槽相接触的面设置为相匹配的V型结构。该技术方案的有益效果在于，保证V型限位槽与滚轮之间具有一定的接触面积，从而吸附载台旋转时，滚轮与随动环之间能够稳定接触。

所述吸附载台可以进一步包括用于固定产品的承载部分，以及位于所述承载部分下方、与所述承载部分可拆卸连接且同轴设置的随动部分，所述限位槽开设在所述随动部分的周面。该技术方案的有益效果在于，吸附载台由于需要承载、吸附晶圆等产品，因此其尺寸大小受到一定的限制，将吸附载台分为可拆卸连接的承载部分和随动部分，承载部分用于吸附产品，随动部分用于开设限位槽，因此随动部分的尺寸可根据需要灵活选择，使其与滚轮之间处于较佳的配合状态，而不需要受到产品尺寸大小的限制；作为优选，随动部分可设置为中空的随动环，减轻吸附载台的质量。