[发明专利]一种制备纯相多壳层Si2

权利要求书

1.一种制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述系统包括硅胺前驱体合成装置(1)、第一增氧装置(2)、第一包硅装置(3)、第一氨解装置(4)、第二增氧装置(5)、纯化装置(6)、产品冷却装置(8)和副产物收集装置(9)；

所述硅胺前驱体合成装置(1)的进料口连通硅源气和氮源气，所述硅胺前驱体合成装置(1)的出料口连通第一增氧装置(2)的进料口，所述第一增氧装置(2)的出料口连通第一包硅装置(3)的进料口，所述第一包硅装置(3)的出料口连通第一氨解装置(4)的进料口，所述第一氨解装置(4)的出料口连通第二增氧装置(5)的进料口，所述第二增氧装置(5)的出料口连通纯化装置(6)的进料口，所述纯化装置(6)的出料口连通产品冷却装置(8)的进料口，所述产品冷却装置(8)的出料口连通产品储罐；

所述纯化装置(6)的分解气出口连通副产物收集装置(9)的进气口；所述产品冷却装置(8)的冷却气进口连通流化气，所述产品冷却装置(8)的出气口连通纯化装置(6)的进气口；

所述第一增氧装置(2)和第二增氧装置(5)连通氧源气，所述第一包硅装置(3)的进气口连通硅源气，所述第一氨解装置(4)的进气口连通氮源气。

2.根据权利要求1所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述系统还包括粉体晶化装置(7)，粉体晶化装置(7)设置在纯化装置(6)和产品冷却装置(8)之间；

所述纯化装置(6)的出料口连通粉体晶化装置(7)的进料口，所述粉体晶化装置(7)的出料口连通产品冷却装置(8)的进料口；所述产品冷却装置(8)的出气口连通粉体晶化装置(7)的进气口，所述粉体晶化装置(7)的出气口连通纯化装置(6)的进气口。

3.根据权利要求1所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述系统还包括第二包硅装置(10)、第二氨解装置(11)、第三增氧装置(12)；所述第二包硅装置(10)、第二氨解装置(11)和第三增氧装置(12)按顺序设置在第二增氧装置(5)和纯化装置(6)之间；

所述第二增氧装置(5)的出料口连通第二包硅装置(10)的进料口，第二包硅装置的出料口连通第二氨解装置(11)的进料口，第二氨解装置(11)的出料口连通第三增氧装置(12)的进料口，第三增氧装置(12)的出料口连通纯化装置(6)的进料口；

所述第二包硅装置(10)的进气口连通硅源气，第二氨解装置(11)的进气口连通氮源气，第三增氧装置(12)的进气口连通氧源气。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述硅胺前驱体合成装置(1)、第一增氧装置(2)、第一包硅装置(3)、第一氨解装置(4)、第二增氧装置(5)、纯化装置(6)、粉体晶化装置(7)、第二包硅装置(10)、第二氨解装置(11)和第三增氧装置(12)均采用流态化反应炉或固定床反应器完成。

5.根据权利要求4所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述流态化反应炉为柱形流态化反应炉或锥形流化床反应炉。

6.根据权利要求1所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述产品冷却装置(8)和副产物收集装置(9)均采用换热器完成。

7.根据权利要求6所述的制备纯相多壳层Si₂N₂O空心球形粉体的系统，其特征在于，所述换热器为1-3级旋风筒换热器、流化床换热器、1级液氮降温旋风筒换热器、3级水冷降温旋风筒换热器中一种或多种串联。