[发明专利]一种半导体器件、终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括基底（1）、主结和至少一个场限环；

所述基底（1）包括衬底（10）以及漂移区（11），所述衬底（10）与所述漂移区（11）均具有第二导电类型，所述漂移区（11）用于在所述终端结构处于正向耐压过程中作为耗尽区；

所述场限环的第一掺杂区（2）形成在所述漂移区（11）上，所述第一掺杂区（2）具有第一导电类型；

所述主结形成在所述漂移区（11）上，所述主结包括第二掺杂区（3），所述第二掺杂区（3）具有第一导电类型，所述第二掺杂区（3）与所述漂移区（11）之间形成第一PN结；

所述主结上形成有增强环（4），所述主结上的增强环（4）的环宽小于其所在主结的宽度；和/或，所述场限环上形成有增强环（4），所述场限环上的增强环（4）的环宽小于其所在场限环的环宽；

所述增强环（4）包括多晶硅结构（41）以及位于所述多晶硅结构（41）下方的第三掺杂区（40）；其中，所述漂移区（11）上的介质层（5）覆盖所述多晶硅结构（41）上方，所述多晶硅结构（41）将所述第三掺杂区（40）与所述介质层（5）隔离，所述介质层（5）为二氧化硅层；所述多晶硅结构（41）的宽度小于所在所述场限环或主结的宽度，所述多晶硅结构（41）具有第一导电类型，所述第三掺杂区（40）具有第一导电类型；所述第三掺杂区（40）的掺杂元素来源于所述多晶硅结构（41）中的掺杂元素，所述第三掺杂区（40）通过所述多晶硅结构（41）进行热扩散形成；所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型。

2.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述第三掺杂区（40）的掺杂浓度大于所述第一掺杂区（2）的掺杂浓度，所述第一掺杂区（2）的掺杂浓度与第二掺杂区（3）的掺杂浓度相同。

3.如权利要求2所述的终端结构，其特征在于，所述第三掺杂区（40）的掺杂浓度为所述第一掺杂区（2）的掺杂浓度的5倍至100倍；或者，所述第三掺杂区（40）的掺杂浓度为5e16cm^-3-1e19cm^-3，所述第一掺杂区（2）的掺杂浓度为1e16cm^-3-1e17cm^-3。

4.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括多个所述场限环，所述主结和每一个所述场限环上均形成有一个增强环（4）；

其中，靠近所述主结的所述场限环的环宽大于或等于远离所述主结的所述场限环的环宽。

5.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述衬底（10）为N型衬底（10），所述漂移区（11）为N型漂移区（11），所述场限环为P型场限环，所述漂移区（11）材料为单晶硅、氮化镓或碳化硅。

6.如权利要求1-5任一项所述的终端结构，其特征在于，所述终端结构还包括介质层（5）、第一电极（6）以及第二电极（7），所述介质层（5）覆盖在所述主结、场限环、增强环（4）以及漂移区（11）上；所述主结上形成有所述增强环（4），所述第一电极（6）穿过所述介质层（5）与所述主结上的所述多晶硅结构（41）电连接，所述第二电极（7）与所述衬底（10）电连接。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-6中任意一项所述的终端结构以及元胞，所述终端结构位于所述元胞外周。