[发明专利]半导体封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 202210229939.X | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114300369A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王东;康鹏鹏;蒋静超 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供待焊接的芯片贴装模块和引线框架，所述芯片贴装模块包括贴装有芯片的封装基板，所述引线框架表面具有用于与所述封装基板焊接的焊接区；
在所述焊接区设置焊料；以及，
将所述引线框架的焊接区对准并贴合到所述封装基板上的相应位置，使所述引线框架上的焊料回流，实现所述引线框架和所述芯片贴装模块的焊接。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述焊料为焊锡。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述焊接区设置焊料的方法包括：
在所述焊接区形成预设厚度的锡膏；以及，
在所述锡膏上粘贴锡片。
4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述焊接区设置焊料的方法包括：
在所述焊接区制作金属支撑结构；以及，
将锡片放在所述金属支撑结构上，加热并下压，使所述锡片和所述金属支撑结构粘连。
5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述焊接区设置焊料的方法包括：
在所述焊接区制作金属支撑结构；
在所述焊接区处形成预设厚度的锡膏；以及，
在所述锡膏上粘贴锡片。
6.如权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述金属支撑结构的材料包括铜、金、银、镍、铝、锡和锌中的至少一种。
7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，使所述引线框架上的焊料回流时，采用的加热温度为250℃ ~ 350℃。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述封装基板为DCB板、AMB板、DPC板、HTCC板或LTCC板。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述封装基板边缘具有功率端子和信号端子，所述引线框架具有分别用于与所述功率端子和所述信号端子焊接的多个所述焊接区。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述信号端子与所述焊料的接触面小于2mm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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