[发明专利]内连线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种内连线结构，其特征在于，包括：

一第一介电层，位于一第一导电端的上方；

一第一导电层，位于该第一电介质层的上方；

一导体柱，穿过该第一介电层且连接至该第一导电端；

一上方介电层，位于该第一导电层的上方；以及

一上方导电层，位于该上方电介质层的上方；

其中，该导体柱贯穿该上方介电层且连接该上方导电层，但该导体柱不与该第一导电层电性连接。

2.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，更包括多个中间导电层，位于该第一导电层和该上方导电层之间，其中，该多个中间导电层的每一者彼此垂直偏移(verticallyshifts)，并且该导体柱不电性连接该多个中间导电层。

3.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该导体柱包括一第一导体柱部分和一第二导体柱部分，该第一导体柱部分被该第一介电层所包围，该第二导体柱部分被该上方介电层所包围。

4.如权利要求3所述的内连线结构，其特征在于，该第一导体柱部分是以该第一导电端的一晶种区作为基底所形成。

5.如权利要求3所述的内连线结构，其特征在于，该第二导体柱部分是以该第一导体柱部分的一晶种区作为基底所形成。

6.如权利要求4所述的内连线结构，其特征在于，该第一导电端的该晶种区是由多晶硅或非晶硅所制成。

7.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一导电端是位于一半导体基材上的一半导体晶体管的一栅极端；该栅极端包括一栅极介电层、位于该栅极介电层上方的一栅极金属层以及位于该栅极金属层上方的一硅质区。

8.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一导电端是位于一半导体基材上的一半导体晶体管的一栅极端；该栅极端包括一栅极介电层、位于该栅极介电层上方的一多晶硅栅极层。

9.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一导电端是一半导体晶体管的一漏极端或一源极端。

10.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一导电端是位于一半导体基材上的一半导体晶体管上方的一下方导电层，该下方导电层包括一金属区和电性连接到该金属区的一晶种区。

11.如权利要求10所述的内连线结构，其特征在于，该下方导电层的该晶种区是由高掺杂硅所制成。

12.一种内连线结构，其特征在于，包括：

一半导体晶体管，其是以一半导体机材作为基底所形成，该半导体晶体管具有一栅极端和一漏极端；

一第一导体柱，位于该半导体晶体管上方并向上延伸；

一晶种柱，位于该第一导体柱上方，并电性连接该第一导体柱；

一第二导体柱，位于该晶种柱上方，并向上延伸；以及

一上方导电层，位于该第二导体柱上方，且电性连接该第二导体柱；

其中，该晶种柱夹设于该第一导体柱和该第二导体柱之间。

13.如权利要求12所述的内连线结构，其特征在于，该晶种柱是由高掺杂硅所制成。

14.如权利要求12所述的内连线结构，其特征在于，该第一导体柱电性连接至该半导体晶体管的该栅极端或该漏极端。

15.如权利要求14所述的内连线结构，其特征在于，更包括一下方导电层，位于该半导体晶体管的上方和该上方导电层的下方；其中，该下方导电层与该第一导体柱和该第二导体柱电性隔离。