[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202210230553.0 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN114628529A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 汪亚民 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 背板 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
基底;
氧化物半导体层,设置在所述基底上;以及
第一水氧阻隔层,设置在所述氧化物半导体层远离所述基底的一侧,所述第一水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述氧化物半导体层于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述氧化物半导体层包括沟道区和设置在所述沟道相对两侧的非沟道区,所述第一水氧阻隔层包括非晶硅层,所述非晶硅层与所述氧化物半导体层的表面接触,并覆盖所述非沟道区。
3.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述非晶硅层的厚度介于所述氧化物半导体层的厚度的二十分之一至十分之一的范围内。
4.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述第一水氧阻隔层还包括氧化物阻挡层,所述氧化物阻挡层与所述非晶硅层同层设置,并覆盖所述沟道区。
5.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述氧化物阻挡层的材料包括氧化锌、氧化硅、氧化镓或氧化铟。
6.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述非晶硅层还覆盖所述沟道区;所述驱动背板还包括栅极绝缘层、栅极、缓冲层、源极以及漏极,所述栅极绝缘层、所述栅极以及所述缓冲层依次设置在所述氧化物半导体层远离所述基底的一侧,所述源极和所述漏极设置在所述缓冲层远离所述栅极的一侧,所述驱动背板具有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔依次贯穿所述缓冲层、所述栅极绝缘层以及所述非晶硅层,所述源极通过所述第一过孔连接于一侧的所述非沟道区,所述漏极通过所述第二过孔连接于另一侧的所述非沟道区。
7.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括第二水氧阻隔层,所述第二水氧阻隔层设置在所述氧化物半导体层靠近所述基底的一侧,所述第二水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述第一水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的驱动背板,其特征在于,所述第二水氧阻隔层整面设置。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的驱动背板。
10.一种驱动背板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基底;
在所述基底上形成氧化物半导体层,所述氧化物半导体层包括沟道区和设置在所述沟道相对两侧的非沟道区;
在所述氧化物半导体层上形成非晶硅层,所述非晶硅层至少覆盖所述非沟道区;
对所述非晶硅层和所述氧化物半导体层进行退火处理。
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