[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种驱动背板及其制备方法、显示面板。所述驱动背板包括基底、氧化物半导体层以及第一水氧阻隔层。氧化物半导体层设置在基底上；第一水氧阻隔层设置在氧化物半导体层远离基底的一侧，第一水氧阻隔层于基底所在平面的正投影与氧化物半导体层于基底所在平面的正投影至少部分重叠。本申请降低了TFT阈值电压的偏移程度，从而提高了TFT的稳定性，提升了驱动背板的驱动性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动背板及其制备方法、显示面板。

背景技术

在现有的氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)如IGZO-TFT中，TFT的阈值电压会受到多重因素的影响，比如：环境中的H₂O和O₂，在温度和正压作用下，环境中的H₂O和O₂会扩散至有源层，使得有源层中的载流子浓度发生改变，进而影响阈值电压的稳定性；又如，有源层和与之相邻的绝缘膜层的界面处存在的缺陷会捕获电子或空穴，改变电子和空穴的激发和复合，进而导致载流子浓度的变化，引起阈值电压的偏移；又如，IGZO-TFT在光照环境下，有源层中的IGZO会产生光生载流子，光生载流子浓度的变化也会引起阈值电压的偏移，同时，受到光照的影响，有源层中的氧空位会电离产生电子，进而会进一步导致载流子浓度的变化，从而给引起阈值电压的偏移；又如，IGZO-TFT在长时间工作条件下，沟道因自加热效应，导致其温度升高，会加剧载流子热激发过程，从而影响载流子浓度，导致TFT电学性能发生变化；此外，对于以柔性材料如聚酰亚胺为衬底材料的IGZO-TFT，由于聚酰亚胺内部正负电荷中心不统一会导致内部极化而形成电场，该电场相当于偏压应力，进而会影响TFT阈值电压的偏移；再者，聚酰亚胺衬底与有源层之间通常会设置缓冲层，聚酰亚胺衬底与缓冲层之间存在的电荷在偏压应力作用下会被引入IGZO中，从而影响载流子浓度分布，进而导致阈值电压的偏移。

综上，TFT阈值电压的偏移问题为现有TFT制程中存在的难题，因此，如何降低TFT阈值电压的偏移程度，提高TFT的稳定性，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种驱动背板及其制备方法、显示面板，以降低TFT阈值电压的偏移程度，从而提高TFT的稳定性，以提升驱动背板的驱动性能。

本申请实施例提供一种驱动背板，其包括：

基底；

氧化物半导体层，设置在所述基底上；以及

第一水氧阻隔层，设置在所述氧化物半导体层远离所述基底的一侧，所述第一水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述氧化物半导体层于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化物半导体层包括沟道区和设置在所述沟道相对两侧的非沟道区，所述第一水氧阻隔层包括非晶硅层，所述非晶硅层与所述氧化物半导体层的表面接触，并覆盖所述非沟道区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述非晶硅层的厚度介于所述氧化物半导体层的厚度的二十分之一至十分之一的范围内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一水氧阻隔层还包括氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层与所述非晶硅层同层设置，并覆盖所述沟道区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化物阻挡层的材料包括氧化锌、氧化硅、氧化镓或氧化铟。