[发明专利]半导体封装件的制法及其所用的载板与制法在审
| 申请号： | 202210231161.6 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116631931A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈敏尧;李佩静;罗文伦;张垂弘 | 申请（专利权）人： | 芯爱科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 211806 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制法 及其 所用 | ||
1.一种载板的制法，包括：
提供一暂时性基材，其包含有一板体、设于该板体上的第一铜箔及设于该第一铜箔上的第二铜箔；以及
于该第一铜箔与该第二铜箔的交界面的部分区域上形成烧结处，使该第一铜箔与该第二铜箔相互结合。
2.如权利要求1所述的载板的制法，其中，该第一铜箔与该第二铜箔的交界面的其它区域相互静电吸附。
3.如权利要求1所述的载板的制法，其中，该烧结处借由激光烧结方式形成。
4.一种载板，包括：
板体；
第一铜箔，其设于该板体上；以及
第二铜箔，其设于该第一铜箔上，其中，于该第一铜箔与该第二铜箔的交界面的部分区域形成有烧结处，使该第一铜箔与该第二铜箔相互结合成一体。
5.如权利要求4所述的载板，其中，该第一铜箔的厚度大于该第二铜箔的厚度。
6.如权利要求4所述的载板，其中，该第一铜箔与该第二铜箔的交界面的其它区域相互静电吸附。
7.一种半导体封装件的制法，包括：
提供一如权利要求4所述的载板；
于该第二铜箔上进行半导体封装制程；
移除该烧结处及其上下侧的结构，以形成半导体封装件；以及
移除该板体、第一铜箔及第二铜箔。
8.如权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该第一铜箔与该第二铜箔的交界面的其它区域相互静电吸附。
9.如权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该烧结处借由激光烧结方式形成。
10.如权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，借由切割方式移除该烧结处及其上下侧的结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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