[发明专利]半导体封装体

说明书

本公开实施例提供具有边缘内连线特征的集成电路裸片。边缘内连线特征可为延伸通过的密封环的导线，且显露于集成电路裸片的边缘表面上。边缘内连线特征是配置以连接其他集成电路裸片，而不需通过中介层。半导体装置可包括两个以上具有边缘内连线特征的集成电路裸片，通过形成于两个以上集成电路裸片之间的重分布结构连接。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体封装体，尤其涉及一种具有边缘内连线特征的半导体封装体。

背景技术

半导体产业通过不断缩小最小特征尺寸，允许将更多元件(即更多功能)整合到给定的区域以形成集成电路裸片，借以不断提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。每个集成电路裸片可包括许多输入/输出垫以与要和集成电路裸片一起封装的其他元件互连。中介层通常用于在半导体封装体中的两个或多个集成电路裸片之间提供输入/输出。然而，因集成密度增加，仅通过中介层来连接集成电路裸片可能变得具有挑战性。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体封装体，包括：具有第一边缘内连线特征的第一集成电路裸片以及包括第二边缘内连线特征的第二集成电路裸片，其中第一集成电路裸片和第二集成电路裸片是以并列的方式设置。半导体封装体亦包括形成在第一集成电路裸片和第二集成电路裸片之间的芯片间重分布结构，其中芯片间重分布结构包括与第一边缘内连线特征接触的第一导电特征，以及与第二边缘内连线特征接触的第二导电特征。

本公开实施例提供一种半导体封装体，包括：基底、附接到基底的第一集成电路裸片、附接到邻接于第一集成电路裸片的基底的第二集成电路裸片、以及形成在第一集成电路裸片和第二集成电路裸片之间的重分布结构。重分布结构包括从第一集成电路裸片延伸的一或多个第一导电特征，以及从第二集成电路裸片延伸的一或多个第二导电特征。

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成具有第一边缘内连线特征的第一集成电路裸片，其中第一边缘内连线特征显露于第一集成电路裸片的第一切割表面上。此方法亦包括形成具有第二边缘内连线特征的第二集成电路裸片，其中第二边缘内连线特征显露于第二集成电路裸片上的第二切割表面上。此方法还包括将第一集成电路裸片和第二集成电路裸片彼此相邻地定位，使得第一切割表面面向第二切割表面，以及在第一切割表面和第二切割表面之间形成重分布结构。重分布结构包括与第一边缘内连线特征和第二边缘内连线特征电性连接的两个或以上的导电特征。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，附图中的各种部件未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及附图中以相似的标号标示相似的特征。

图1A至图1L示意性地示出根据本公开实施例的具有边缘内连线特征的集成电路裸片。

图2、图3A至图3E、图4A至图4B、图5A至图5E、图6A至图6B、图7A至图7B、图8和图9示意性地示出根据本公开实施例的制造半导体封装体的不同阶段。

附图标记如下：

10,10a,10b,10c:基底

12:切割线

12w:切割线宽度(宽度)

100,100a,100b,200a,200b,200c:集成电路裸片

102,202a,202b,202c:切割表面

104,104a:电路区域

106,106a:密封区域

106s:侧面

106w:线宽

106d:线深