[发明专利]硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述碱抛光方法包括依次进行的多个批次碱抛光处理，各个批次的碱抛光处理均包括以下步骤：

前清洗：将硅片在第一混合溶液中清洗，所述第一混合溶液包括碱性试剂及H₂O₂；

碱抛光：将前清洗后的所述硅片在碱抛液中进行碱抛光；

后清洗：将碱抛光后的所述硅片在第二混合溶液中清洗，所述第二混合溶液包括碱性试剂及H₂O₂；

酸洗：将后清洗后的所述硅片浸泡在酸液中清洗，除去氧化层；

慢提拉：在水中清洗酸洗后的所述硅片，并缓慢提出；及

干燥；

其中，第一批次的碱抛光处理中的所述碱抛液为初始碱抛液，所述初始碱抛液的组分包括：体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；

第n批次的碱抛光处理的所述碱抛液通过在第n-1批次的所述碱抛液中添加补液制得；所述补液的组分包括：(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)的水、碱液及碱抛添加剂；第n批次的所述补液与所述初始碱抛液的体积比为(5.91～6.98)：(332～356)；其中，2≤n≤60；

所述碱液选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液，所述碱液的浓度为45wt％～48wt％。

2.根据权利要求1所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述初始碱抛液中，所述水、所述碱液及所述碱抛添加剂的体积比为(327～329)：(10.5～11.5)：(2.8～3.2)。

3.根据权利要求1所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述补液中，所述水、所述碱液及所述碱抛添加剂的体积比为(5.9～6.1)：(0.265～0.275)：(0.19～0.20)。

4.根据权利要求1～3任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述碱抛光的步骤的温度为60℃～66℃，时间为140s～160s。

5.根据权利要求4所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述碱抛光的步骤的温度为64℃～66℃，时间为145s～155s。

6.根据权利要求1～3、5任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述碱抛添加剂选自BP51及BPL-719中的至少一种。

7.根据权利要求1～3、5任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述前清洗的步骤的温度为45℃～60℃，时间为40s～50s。

8.根据权利要求1～3、5任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述后清洗的步骤的温度为25℃～40℃，时间为120s～180s。

9.一种PERC电池的制备方法，其特征在于，包括对硅片依次进行的制绒、扩散、SE、热氧、碱抛光、退火、微导和镀膜步骤；所述碱抛光的步骤采用权利要求1～8任一项所述的硅片的碱抛光方法进行。

10.根据权利要求9所述的PERC电池的制备方法制得的PERC电池。