[发明专利]硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法

说明书

本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括：前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液，第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)。通过调整碱抛液的配方，上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小，能够减少硅片碱抛光减重量，降低制备过程中的碎片率，且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。

背景技术

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即钝化发射极和背面电池技术。PERC技术通过在电池的后侧上添加一个电介质钝化层来提高转化效率，这就要求硅片的背表面具有良好的平整度。PERC电池技术具有明显的性能和成本优势，推动了P型太阳能级硅片的应用。然而，由于电池薄片化的趋势，单晶硅片的厚度也在逐渐变薄，同等质量的硅料可生产硅片量大大增加，能够降低原料成本，但是下游电池片的加工难度也随之增大。

碱抛光工艺是硅片背抛光的常用工艺技术。碱抛光工艺的原理为碱与硅片背面反应抛光，硅片正面由于氧化层的保护而不被反应，硅片背面的制绒绒面与碱反应，形成平整度较高的背抛面。由于采用的硅片原料的厚度变薄，在碱抛光工艺中更容易产生碎片，且影响硅片的光电转换效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种减重量较小、不易破片且可提高电池效率的硅片的碱抛光方法。

此外，还提供一种采用上述硅片的碱抛光方法处理的PERC电池及其制备方法。

本发明的一个方面，提供了一种硅片的碱抛光方法，所述碱抛光方法包括依次进行的多个批次碱抛光处理，各个批次的碱抛光处理均包括以下步骤：

前清洗：将硅片在第一混合溶液中清洗，所述第一混合溶液包括碱性试剂及H₂O₂；

碱抛光：将前清洗后的所述硅片在碱抛液中进行碱抛光；

后清洗：将碱抛光后的所述硅片在第二混合溶液中清洗，所述第二混合溶液包括碱性试剂及H₂O₂；

酸洗：将后清洗后的所述硅片浸泡在酸液中清洗，除去氧化层；

慢提拉：在水中清洗酸洗后的所述硅片，并缓慢提出；及

干燥；

其中，第一批次的碱抛光处理中的所述碱抛液为初始碱抛液，所述初始碱抛液的组分包括：体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；

第n批次的碱抛光处理的所述碱抛液通过在第n-1批次的所述碱抛液中添加补液制得；所述补液的组分包括：(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)的水、碱液及碱抛添加剂；第n批次的所述补液与所述初始碱抛液的体积比为(5.91～6.98)：(332～356)；其中，2≤n≤60；

所述碱液选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液，所述碱液的浓度为45wt％～48wt％。

在其中一些实施例中，所述初始碱抛液中，所述水、所述碱液及所述碱抛添加剂的体积比为(327～329)：(10.5～11.5)：(2.8～3.2)。

在其中一些实施例中，所述补液中，所述水、所述碱液及所述碱抛添加剂的体积比为(5.9～6.1)：(0.265～0.275)：(0.19～0.20)。