[发明专利]一种耦合器的防烧蚀方法及耦合器在审

专利信息
申请号: 202210235608.7 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114439861A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 郝能伟;秦臻;白占海;徐立辉;张益智;林小凤;于东洋;安国旗;刘越;赵峄桐 申请(专利权)人: 中国第一汽车股份有限公司
主分类号: F16D27/00 分类号: F16D27/00;F16D66/00
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 于丽平
地址: 130011 吉林省长*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 耦合器 防烧蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,包括:

计算所述耦合器的实际温度模型;

根据所述实际温度模型实时计算所述耦合器的实际温度;

判断实际温度是否小于预设温度,若否,则断开所述耦合器的通电;若是,则所述耦合器正常工作。

2.根据权利要求1所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,计算所述耦合器的所述实际温度模型,包括:

使用温度传感器采集所述耦合器的多组样本温度;

根据多组样本温度下的所述耦合器的实际扭矩、结合时间和输入端转速计算理论温度模型。

3.根据权利要求2所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,在根据多组样本温度下的所述耦合器的实际扭矩、结合时间和输入端转速计算所述理论温度模型之后,包括:

根据环境温度计算所述耦合器的初始温度;

将所述耦合器的初始温度加入所述理论温度模型以得到所述实际温度模型。

4.根据权利要求3所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,所述实际温度模型设置为:T计算=C1*T+ρ*N实际*w*△t/(m*c),其中:

T计算设置为耦合器的实际温度;

C1设置为温度调整参数;

T设置为耦合器的初始温度,与环境温度相关;

ρ设置为性能调整参数;

N实际设置为耦合器的实际扭矩;

w设置为耦合器的输入端转速;

△t设置为结合时间;

M设置为耦合器的离合器盘质量;

C设置为耦合器的离合器热容系数。

5.根据权利要求3所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,在将所述耦合器的初始温度加入所述理论温度模型以得到所述实际温度模型之后,包括:

拆卸所述温度传感器。

6.根据权利要求2所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,使用温度传感器采集多组所述耦合器的样本温度,包括:

使用至少两个不同位置的温度传感器测试所述耦合器的温度,并取至少两个所述温度传感器所测温度中的最高温度为样本温度。

7.根据权利要求2所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,根据所述实际温度模型实时计算所述耦合器的实际温度,包括:

将所述耦合器的实际扭矩、结合时间和输入端转速代入所述实际温度模型中以得到实际温度。

8.根据权利要求1所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,在实际温度不小于预设温度之后,包括:

发出警报。

9.根据权利要求8所述的耦合器的防烧蚀方法,其特征在于,发出警报,包括:

警报灯亮起;

和/或,警报声响起。

10.一种耦合器,设置于横置四驱,其特征在于,使用权利要求1-9任一项所述的耦合器的防烧蚀方法。

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